日本免费全黄少妇一区二区三区-高清无码一区二区三区四区-欧美中文字幕日韩在线观看-国产福利诱惑在线网站-国产中文字幕一区在线-亚洲欧美精品日韩一区-久久国产精品国产精品国产-国产精久久久久久一区二区三区-欧美亚洲国产精品久久久久

XDR2的內(nèi)存技術(shù)是什么時候開發(fā),Pro XDR顯示器參數(shù)詳解

首先能明確的一點是,顯存和內(nèi)存不是一個東西,雖然乍一看顯存的GDDR和內(nèi)存的DDR都是一個東西,很可惜,他們不是一類.如果哪天有硬件商腦洞一開想出了這個解決方案會因為如下幾點被世人唾棄1.內(nèi)存是與CPU直連(曾經(jīng)這個是由北橋負(fù)責(zé)的,然后隨著AMDRyzen的出世,北橋已經(jīng)被掃進(jìn)了歷史的垃圾堆),顯卡是通過PCIE通道與CPU連接,這樣做意味著效率低延遲高 。
華為為什么不做自己的內(nèi)存?
【XDR2的內(nèi)存技術(shù)是什么時候開發(fā),Pro XDR顯示器參數(shù)詳解】說起內(nèi)存絕對會讓眾網(wǎng)友心痛,2017年中國進(jìn)口芯片金額達(dá)到2000多億美元,折合成人民幣就是上萬億,其中內(nèi)存芯片占了約三分之一,是880多億美元,其中一半來自于韓國 。韓國的三星、海力士和美國的鎂光,三家是全球內(nèi)存市場的絕對霸主,時不時工廠起火、工廠停電、產(chǎn)能不足等大家心知肚明的借口來操縱內(nèi)存漲價,去年內(nèi)存價格漲幅超過50%,一度成為最佳理財產(chǎn)品 。
為什么華為不做內(nèi)存?要回答這個問題需要從兩個方面來解答:技術(shù)專利與市場(1)內(nèi)存技術(shù)基礎(chǔ)專利被三星、海力士和鎂光全部占據(jù) 。任何一家公司想要設(shè)計生產(chǎn)制造內(nèi)存,你絕對無法繞過上述三家的技術(shù)專利,因此一旦你進(jìn)入內(nèi)存領(lǐng)域,你就會被上述三家無休無止的專利官司纏身 。甚至有時候國外無恥,直接用技術(shù)封鎖,參考福建晉華被美國商務(wù)部列入禁運(yùn)實體名單 。
所以需要有專利基礎(chǔ),目前紫光買了破產(chǎn)的德國奇夢達(dá)專利 。(2)內(nèi)存市場存在大資本優(yōu)勢 。曾經(jīng)內(nèi)存市場是有很多玩家的,除了上述三家,還有日本的爾必達(dá),德國的奇夢達(dá)等諸多玩家,但是為什么最后就剩下這三家,其他公司要么破產(chǎn)要么被上述三家兼并收購,為什么?答案是:韓國人的“反周期”戰(zhàn)略!第一次逆向投資:20世紀(jì)80年代,DRAM市場不景氣,DRAM價格迅速下滑,從1984年初的4美元/片下降到1985年的30美分/片,英特爾由于DRAM虧損嚴(yán)重直接退出了該市場 。
此時,韓國的三星剛剛推出64K DRAM,生產(chǎn)成本是1.3美元/片 。面臨行業(yè)的不景氣,三星開始采用逆向投資,繼續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)能,并開發(fā)更大容量的DRAM 。到1986年底,三星半導(dǎo)體累積虧損3億美元,股權(quán)資本完全虧空 。第二次逆向投資:20世紀(jì)90年代,日本經(jīng)濟(jì)低迷 。到了1993年,全球半導(dǎo)體市場又開始轉(zhuǎn)弱,三星第二次采用反周期的投資策略,投資興建8英寸硅片生產(chǎn)線來生產(chǎn)DRAM 。
在韓國廠商的擠壓下,日本政府不得不整合日立、NEC、三菱的DRAM業(yè)務(wù),組建“國家隊”爾必達(dá),以對抗韓國的反超 。第三次逆向投資:2008年,金融危機(jī)爆發(fā),DRAM價格雪崩,從2.25美元狂跌至0.31美元 。就在眾廠商哀鴻遍野時,三星決定將三星電子總利潤的118%投入DRAM 擴(kuò)張業(yè)務(wù),故意加劇行業(yè)虧損 。
很快DRAM 價格跌破現(xiàn)金成本,接著更是跌破材料成本 。當(dāng)年排名第三的德系廠商奇夢達(dá)首先撐不住了,直接宣布破產(chǎn),歐洲玩家正式退出DRAM 市場 。而在2012年初,爾必達(dá)也支撐不下去,隨后宣布破產(chǎn)!三次完美的逆向投資,三次慘烈的存儲激戰(zhàn),韓國用反周期定律絞殺競爭對手,最終稱霸半導(dǎo)體行業(yè) 。因此做內(nèi)存需要舉國家之力,不是一家企業(yè)可以抗衡的 。
目前我國政府半導(dǎo)體大基金扶持了三家本土內(nèi)存生產(chǎn)商:合肥長鑫,福建晉華,武漢長江存儲 。(1)晉華集成電路與臺灣聯(lián)華電子開展技術(shù)合作,專注于隨機(jī)存取存儲器(DRAM)領(lǐng)域 。(2)合肥長鑫主要研發(fā)19納米制程的12英寸晶圓DRAM,填補(bǔ)國產(chǎn)DRAM存儲器在本國市場的空白 。(3)武漢長江存儲專注于三維NAND閃存芯片量產(chǎn) 。
顯存大部分時候處于浪費(fèi)狀態(tài),為何硬件廠商不開發(fā)顯存當(dāng)內(nèi)存使用的技術(shù)?

推薦閱讀