中國光刻技術(shù)與荷蘭ASML EUV光刻技術(shù)的關(guān)鍵區(qū)別在于紫外光源和光源能量控制的不同 。傳統(tǒng)的技術(shù)分析方法，大部分是基于道氏理論、艾略特波浪理論、日本蠟燭圖技術(shù)分析方法等 。再次，用這種方法創(chuàng)造的一些經(jīng)典技術(shù)指標(biāo)，如MACD、均線、KDJ等 。這些傳統(tǒng)的技術(shù)方法的優(yōu)點是能夠搞清楚個股每個階段的波動，把握個股每個階段的買賣點，或者每個階段上市的機會和風(fēng)險，準(zhǔn)確買賣個股 。
賈躍亭的FF汽車到底技術(shù)先進(jìn)在哪里？請技術(shù)控解釋下？
賈躍亭的FF汽車目前還沒有量產(chǎn)，技術(shù)是否先進(jìn)就很難評判了 。不過，我們可以探討一下，為什么賈躍亭砸了這么多錢，車卻出不來，原因無非有兩點，一是，新能源產(chǎn)業(yè)鏈沒建起來的情況下，汽車自然造不出來 。舉個例子，蘋果來中國找富士康代工，意味著把整個產(chǎn)業(yè)鏈都帶來了中國，所以蘋果來了之后，小米、華為、包括OPPO、VOVO才能迅速崛起，
在此之前，國內(nèi)智能手機市場還是三星、HTC、摩托羅拉，而這三個品牌并沒有在中國完全代工生產(chǎn) 。汽車也是一樣，賈躍亭看見特斯拉在美國火了，想在做中國的特斯拉，但問題是，特斯拉自己的產(chǎn)品都一堆毛病，產(chǎn)量也低，產(chǎn)業(yè)鏈還沒形成 。中國新能源產(chǎn)業(yè)鏈基本沒有，在這種情況下，砸再多的錢，賈躍亭也造不出來，二是，自己沒有核心的技術(shù)，造車很難的 。
中國的光刻機技術(shù)和荷蘭的光刻機技術(shù)，關(guān)鍵點的區(qū)別到底在哪？
中國的光刻技術(shù)和荷蘭ASML的EUV光刻技術(shù)，關(guān)鍵點的區(qū)別在于采用紫外光源的不同和光源能量控制，一、中國光刻技術(shù)采用193nm深紫外光源，荷蘭ASML的EUV采用13.5nm極紫外光源 。光刻是制程芯片最關(guān)鍵技術(shù)，制程芯片過程幾乎離不開光刻技術(shù)，但光刻技術(shù)的核心是光源，光源的波長決定了光刻技術(shù)的工藝能力 。
我國光刻技術(shù)采用193nm波長的深紫外光源，即將準(zhǔn)分子深紫外光源的波長縮小到ArF的193nm，它可實現(xiàn)最高工藝節(jié)點是65nm，如采用浸入式技術(shù)可將光源縮小至134nm 。為提高分辨率采取NA相移掩模技術(shù)還可推進(jìn)到28nm，到了28nm以后、由于單次曝光的圖形間距無法進(jìn)一步提升，所以廣泛使用多次曝光和刻蝕的方法來求得更致密的電子線路圖形 。
荷蘭ASML的EUV光刻技術(shù)，采用是美國研發(fā)提供的13.5nm極紫外光源為工作波長的投影光刻技術(shù)，是用準(zhǔn)分子激光照射在錫等靶材上激發(fā)出13.5nm光子作為光刻技術(shù)的光源 。極紫外光源是傳統(tǒng)光刻技術(shù)向更短波長的合理延伸，被行業(yè)賦予了拯救摩爾定律的使命，當(dāng)今的ASML的EUV光刻技術(shù)，巳能用13.5nm極紫外光制程7nm甚至5nm以下芯片 。
而我國還是采用193nm深紫外源光刻技術(shù)，如上海微電子28nm工藝即是如此，雖然我們采用DUV光刻技術(shù)通過多重曝光和刻蝕方法提升制程工藝，但成本巨大、良率較低、難以商業(yè)化量產(chǎn) 。所以光源的不同導(dǎo)致光刻技術(shù)的重大區(qū)別，二、在光刻技術(shù)的光源能量精準(zhǔn)控制上，我國光刻技術(shù)與荷蘭的EUV也有重大區(qū)別 。光刻技術(shù)的光學(xué)系統(tǒng)極其復(fù)雜，要減小誤差達(dá)到高精度要求，光源的計量和控制非常重要，
它可通過透鏡曝光的補償參數(shù)決定光刻的分辨率和套刻精度 。光刻技術(shù)的分辨率代表能清晰投影最小圖像的能力，和光源波長有著密切關(guān)係，在光源波長不變情況下，NA數(shù)值孔徑大小直接決定光刻技術(shù)的分辨率和工藝節(jié)點 。我國在精密加工透鏡技術(shù)上無法與ASML采用的德國蔡司鏡頭相比，所以光刻技術(shù)分辨率難以大幅提高，套刻精度是光刻技術(shù)非常重要的技術(shù)指標(biāo)，是指前后兩道工序、不同鏡頭之間彼此圖形對準(zhǔn)精度 。
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