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汽車音響故障檢測(cè)方法之萬用表檢測(cè)法( 二 )


電路已損壞,應(yīng)先排除以下幾個(gè)因素后再確定 。
①所提供的標(biāo)準(zhǔn)電壓是否可靠 。
因?yàn)槌S幸恍┱f明書、原理圖等資料上所標(biāo)的數(shù)值與實(shí)際電壓值有較大差別,有時(shí)甚至是錯(cuò)誤的 。此時(shí),應(yīng)多找一些有關(guān)參考資料進(jìn)行對(duì)照,必要時(shí),還需分析被測(cè)集成電路的內(nèi)部原理圖與外圍電路,同時(shí)通過對(duì)所標(biāo)電壓值的計(jì)算來證明所標(biāo)電壓是否有誤 。
②要區(qū)別所提供的標(biāo)稱電壓的性能,其電壓是屬靜態(tài)工作電壓還是動(dòng)態(tài)工作電壓 。因?yàn)橐繇懠呻娐返挠行┮_是隨著振蕩信號(hào)或音頻信號(hào)的有無而明顯變化的 。
③要注意外圍電路可變?cè)鸬囊_電壓變化 。
④要防止由于測(cè)量造成的誤差 。
由于萬用表表頭內(nèi)阻不同或用不同的直流電壓量程擋,因此,測(cè)量造成的誤差也不一致,一般來說,在各維修資料中都以測(cè)試儀表的內(nèi)阻大于20k/v進(jìn)行測(cè)試的 。用內(nèi)阻小于20kq/v的萬用表進(jìn)行測(cè)試時(shí),將會(huì)使被測(cè)結(jié)果低于原來所標(biāo)的電壓 。
另外,還應(yīng)注意不同電壓擋上所測(cè)的電壓會(huì)有差別,尤其是大量程擋,讀數(shù)偏差影響更顯著 。以上四種情況會(huì)使集成電路在沒有故障的情況下,所測(cè)結(jié)果與標(biāo)稱值不同 。因此,在進(jìn)行集成電路直流電壓或直流電阻測(cè)試時(shí),要規(guī)定一個(gè)測(cè)試條件,尤其是要作為實(shí)例經(jīng)驗(yàn)數(shù)據(jù)記錄時(shí),更要注意這一點(diǎn) 。如果排除以上幾個(gè)因素后,所測(cè)的個(gè)別引腳電壓還是不符合標(biāo)稱值,需進(jìn)一步分析原因,但不外乎兩種可能:第一,集成電路本身故障引起;第二,集成電路外圍電路造成 。

(2)晶體管各電極的直流工作電壓 。
晶體管在汽車音響中占有很大密度,盡管使用了集成電路和厚膜塊,但有些電路還需采用晶體管 。測(cè)量晶體管各極直流電壓是檢查晶體管工作狀態(tài)的重要依據(jù)之一 。

在汽車音響的各放大電路中,晶體管工作狀態(tài)遵循這樣一條原則,即發(fā)射結(jié)b-e正向偏置,集電結(jié)c-b反向偏置(一般6v以上),如果檢測(cè)結(jié)果違背了這一規(guī)律,可以說明晶體管本身或外圍偏置元件有故障 。常見故障有:晶體管電極斷路、短路、偏置電阻變值、短路、斷路、直流供電電壓短路、斷路等 。當(dāng)晶體管損壞或偏置元件損壞時(shí),晶體管各極直流電壓會(huì)有明顯的變化 。根據(jù)這一特點(diǎn),可以從直流電壓的變化情況,快速地判斷故障原因 。圖3-8-9所示為出現(xiàn)異常時(shí)晶體管各極電壓的反應(yīng)情況 。
在汽車音響各單元設(shè)備的放大電路中,絕大多數(shù)為線性放大電路,故必須設(shè)置正確的靜態(tài)工作點(diǎn),使電路工作于線性放大區(qū),否則將影響電路增益及動(dòng)態(tài)范圍,甚至造成音頻信號(hào)畸變 。一般電路圖上已經(jīng)標(biāo)出晶體管各極電壓值;若數(shù)值不詳,可根據(jù)經(jīng)驗(yàn)規(guī)律判斷 。例如,一般阻容耦合(現(xiàn)階段汽車音響的放大電路都屬這一類型)晶體管集電極電壓約為(1/2~1/3)ec,發(fā)射極電壓約為(1/4~1/6)ec,ec是電源電壓;調(diào)諧放大器的發(fā)射極電壓規(guī)律同前,集電極電壓約為(3/4~5/6)ec 。
(3)測(cè)整機(jī)關(guān)鍵部位的直流工作電壓 。
首先從整流、穩(wěn)壓電路輸出端入手,根據(jù)測(cè)得的輸出端電壓的高低來判斷是哪一部分或哪一個(gè)元件出現(xiàn)問題,通常整流、穩(wěn)壓電路的故障可能是負(fù)載開路、輸入交流電過高或過低、濾波電容漏電、整流二極管開路、整流二極管和調(diào)整管壓降增大等 。
測(cè)量各音頻放大器每一級(jí)電路的電壓時(shí),首先應(yīng)該從該電源供給及濾波電路的元器件著手 。通常電壓過高或過低,均說明電路出現(xiàn)問題 。一般來說放大器的電路故障是:退耦電容漏電或擊穿,三極管工作電流增大、電阻開路、晶體管開路、擊穿及處于深度飽和狀態(tài)、集成塊(含厚膜塊)損壞等 。

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