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下一代重磅存儲技術，劍指2027年量產！

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下一代重磅存儲技術，劍指2027年量產！
隨著人工智能大模型從訓練階段加速邁向推理應用 ， 存儲系統的性能瓶頸日益凸顯：既要提供高帶寬以匹配算力需求 ， 又要具備海量容量以承載千億級參數 ， 同時還需嚴格控制功耗與成本 。 在這一背景下 ， 一種名為HBF（High Bandwidth Flash ， 高帶寬閃存）的新型存儲技術正成為行業的關注焦點 。 近期 ， 各大存儲巨頭及供應鏈企業正加速推動HBF的研發、標準化與商業化落地 ， 目標直指2027年量產 。

閃迪加速沖刺 ， 劍指2027年量產
作為HBF概念的早期提出者 ， 閃迪（SanDisk）正全力推進該技術的產業化進程 。 據《ETNews》及《The Bell》報道 ， 閃迪已開始與材料、組件及設備供應商接洽 ， 著手構建完整的HBF供應鏈生態 ， 并計劃打造原型生產線 。 業內預計 ， 該試產線將在2026年下半年竣工并于年底前投產 。 為搶占市場先機 ， 閃迪正大力壓縮研發周期 ， 有望將原定開發時間表提前約半年 ， 力爭在2027年實現HBF的全面商業化 。
在生產基地選址方面 ， 日本成為閃迪的熱門候選地 。 據悉 ， 閃迪正與日本本土企業探討合作 ， 目標是在2026年下半年引入HBF關鍵設備 ， 極有可能將原型產線乃至后續量產基地設在日本 。 這一布局一方面看中了日本在半導體材料與精密制造領域的深厚積累 ， 另一方面也有助于閃迪貼近亞洲主要AI設備客戶群 。
閃迪將HBF定義為介于超高速HBM（高帶寬存儲器）與大容量SSD之間的全新存儲層級 ， 旨在解決AI推理場景下高容量數據處理與功耗效率難以兼顧的結構性矛盾 。 通過垂直堆疊NAND閃存 ， HBF能夠在維持高帶寬的同時提供約10倍于HBM的存儲容量 ， 尤其適合大模型參數的溫冷數據存儲與快速調用 。 閃迪計劃于今年下半年推出HBF原型產品 ， 并已開始與材料、零部件及設備合作伙伴接洽原型產線生態 ， 商業化目標堅定地鎖定在2027年 。
HBF技術解析：架構、性能與應用場景
HBF（High Bandwidth Flash ， 高帶寬閃存）是一種借鑒HBM的3D堆疊架構、但以3D NAND閃存替代DRAM作為存儲介質的創新型存儲技術 。 其核心技術原理包括：通過硅通孔（TSV）或CMOS鍵合陣列（CBA）技術垂直堆疊多層NAND芯片 ， 并搭配專用邏輯控制芯片實現并行數據訪問 。
在性能方面 ， HBF展現出顯著優勢 。 單堆棧容量可達512GB ， 8堆?？側萘靠蛇_4TB ， 是同成本下HBM容量的8至16倍；帶寬在1.6TB/s至3.2TB/s之間 ， 接近HBM水平；同時功耗較低 ， 無需像DRAM那樣持續供電刷新 ， 且數據斷電不丟失 。 這些特性使HBF特別適用于AI推理、大模型參數存儲、邊緣計算等讀多寫少的場景 ， 與HBM形成互補——HBM處理高速實時數據 ， HBF則負責海量溫冷數據的駐留與調用 。
在制造工藝方面 ， 由于HBF與目前主流的HBM具有高度相似性 ， 現有的HBM供應鏈預計將在這場技術迭代中延續優勢 。 例如 ， 用于實現芯片層間信號傳輸的硅通孔（TSV）技術 ， 以及關鍵的鍵合材料與貼裝設備 ， 預計仍將由目前在HBM市場占據主導地位的企業把控 。 與此同時 ， 材料端亦出現新動向 。 據《Dealsite》披露 ， 韓國Hanul Materials Science旗下子公司JK Materials近日宣布 ， 已完成用于HBF的高性能聚合物開發工作 ， 并已向主要客戶供貨 。 該公司的高性能KrF聚合物是實現數百層NAND閃存堆疊所需的關鍵化學材料 。
全球存儲巨頭競逐HBF賽道
目前 ， 全球存儲巨頭正以不同節奏切入HBF賽道 。
閃迪不僅是HBF概念的提出者 ， 也是當前推進最為激進的廠商之一 ， 計劃2026年下半年推出原型產品 ， 2027年實現商業化 。 生產基地傾向日本 ， 原型產線預計2026年下半年竣工并投入運營 。
SK海力士方面 ， 2026年2月 ， SK海力士與閃迪公司聯合舉辦“HBF規格標準化聯盟啟動會” ， 正式發布面向AI推理時代的下一代存儲器解決方案HBF的全球標準化戰略 。 兩家公司將分發揮雙方在HBM與NAND閃存領域長期積累的設計能力、封裝技術及大規模量產經驗 ， 率先推動HBF的標準化與產品化進程 。
三星電子方面 ， 雖然其尚未像SK海力士那樣高調宣布進軍HBF領域 ， 但技術儲備不容小覷 。 據媒體報道 ， 三星近期收購了一系列相關專利 ， 積極拓展技術儲備 。 種種跡象表明 ， 三星正穩步探索并擴大其在HBF領域的業務版圖 。 據公開信息 ， 三星已啟動HBF產品早期概念設計 ， 計劃2027年底至2028年初將HBF技術集成到AI產品中 ， 同時也在推進HBM4和CXL內存技術 ， 形成多路徑存儲布局 。
總體來看 ， 閃迪與SK海力士處于聯盟推進的第一梯隊 ， 主導標準化進程；三星則采取穩扎穩打、暗中蓄力的策略 ， 憑借深厚的技術積累伺機入局 。 供應鏈方面 ， 原有HBM材料與設備廠商有望將優勢平移至HBF領域 ， 同時新的材料供應商如JK Materials也已切入 ， 為HBF所需的高性能聚合物提供支持 。
結 語
從閃迪的加速沖刺 ， 到SK海力士主導的標準化聯盟 ， 再到三星的蓄力潛伏 ， HBF正從概念走向現實 。 這一技術精準切中了AI推理時代對“高帶寬+大容量+低功耗”存儲方案的結構性需求 ， 有望在2027年左右開啟商業化元年 。
【下一代重磅存儲技術，劍指2027年量產！】當然 ， HBF的規?；涞厝悦媾R諸多挑戰：NAND閃存的3D堆疊良率、TSV工藝的成本控制、與現有AI計算生態的適配等問題尚需逐步解決 。 但可以確定的是 ， 隨著全球存儲巨頭與供應鏈企業的持續投入 ， HBF極有可能成為繼HBM之后又一改變AI存儲格局的顛覆性技術 。 未來幾年 ， 將是這場存儲技術競賽的關鍵窗口期 。

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