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存儲大廠業績爆發，打響先進產能爭奪戰

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存儲大廠業績爆發，打響先進產能爭奪戰
隨著全球人工智能（AI）熱潮的持續升溫 ， AI算力的爆發導致存儲芯片需求激增 。 這帶動了傳統存儲芯片需求的回升 ， 更推動了高帶寬內存（HBM）等高性能存儲市場的強勁發展 。 這一背景下 ， 全球各大存儲巨頭不僅交出了極為亮眼的財報成績單 ， 更是在產能擴張和先進制程上展開了激烈的戰略競賽 。
存儲大廠最新財報：AI驅動下業績呈現爆發式增長
AI技術的發展為存儲大廠帶來了驚人的業績爆發力 。 三星電子公布的2026年第一季度初步財報數據顯示 ， 公司預計營收將達到133萬億韓元 ， 同比增長68% 。
更為引人矚目的是 ， 三星第一季度營業利潤預計高達57.2萬億韓元 ， 較去年同期增長了八倍多 ， 環比增加了近兩倍 ， 遠遠超出外界預期 。
【存儲大廠業績爆發，打響先進產能爭奪戰】三星在初步財報中并未公布各部門業績表現 ， 詳細正式財報將于4月底發布 。 業界認為 ， 三星的強勁表現主要歸功于AI驅動下存儲業務（尤其是HBM）的迅猛發展 ， 憑借最新的HBM4芯片 ， 三星已逐步縮小與競爭對手的差距 。
與此同時 ， 美光科技也同樣受益于AI熱潮帶來的利好效應 。 截至2026年2月26日的2026財年第二季度財報顯示 ， 美光營收達到238.6億美元 ， 同比大幅增長196% ， 環比增長75% 。 其非GAAP凈利潤更是飆升686% ， 達到140.2億美元 。
美光對下一季度的預期同樣十分樂觀 ， 預計營收約為335億美元 ， 毛利率約81% ， 各項數據均遠超市場預期 。
存儲擴產潮開啟：資本開支猛增
在亮眼的財報背后 ， 為了滿足全球AI服務器和數據中心對高容量、高可靠性、高性能存儲芯片的需求 ， 存儲大廠正積極投入巨資擴充產能 。
美光預計2026財年資本支出將超過250億美元 ， 并將在2027財年進一步增加 ， 主要用于HBM及DRAM的產能擴張 。
為支持先進制程DRAM和HBM4/5的生產 ， 美光正加速讓所有產線具備極紫外光刻（EUV）設備能力 ， 并在美國紐約州（總投資達1000億美元）、愛達荷州以及日本廣島等地推進晶圓廠建設 ， 同時其在新加坡的NAND閃存新工廠也預計于2028年下半年投產 。
三星電子計劃在2026年投入超過110萬億韓元（約合733億美元）用于資本支出和研發 ， 目標是將AI芯片產能提升3倍 ， HBM產能提升5倍 ， 并在韓國華城和平澤基地推進10納米第五代（1b）DRAM制程轉換及擴建新產線 。

值得一提的是 ， 在中國市場的投資與技術升級方面 ， 韓國巨頭三星和SK海力士也在持續加碼 。 2025年 ， 三星對中國西安的NAND閃存生產基地投資了4654億韓元 ， 用于將產線升級至236層（第八代） ， 并計劃在2026年實現280層（第九代）量產 。 今年3月30日媒體報道 ， 該工廠的第八代V-NAND已正式實現量產 。
SK海力士則向江蘇無錫DRAM晶圓廠和大連NAND閃存工廠合計投資超1萬億韓元 ， 重點推進從1Z至1A的DRAM工藝節點升級 ， 以及321層第九代NAND產線轉換 。 無錫和大連工廠分別貢獻了SK海力士全球30%以上的DRAM產能和40%-45%的NAND產能 ， 地位舉足輕重 。
業界普遍認為 ， 當前的存儲擴產不僅是簡單的產能擴張 ， 更是一場圍繞先進技術主導權的戰略競賽 ， 中國作為全球最大的半導體消費市場和電子信息制造基地 ， 擁有完善的產業鏈配套和成熟的營商環境 ， 是韓國存儲芯片企業全球布局的關鍵環節 。 不過 ， 國際形勢的變化也可能會影響未來投資的節奏 。
結語
在全球AI算力全面爆發的背景下 ， 存儲芯片產業正迎來新一輪的繁榮周期 ， 不過復雜多變的國際形勢仍為產業帶來不確定性 。 展望未來 ， 存儲大廠們唯有在技術創新與產能精準布局之間尋找最佳平衡 ， 方能在這場由AI主導的存儲爭霸戰中持續保持領先優勢 。

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