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硅來實現12英寸碳化硅激光剝離量產設備規?；桓?/h1>
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近日 ， 硅來半導體（武漢）有限公司（以下簡稱“硅來”）第三批兼容12英寸碳化硅襯底激光剝離量產設備順利交付客戶 。 本次交付標志著硅來超大尺寸碳化硅襯底激光剝離技術已經成功通過產業化檢驗 ， 將為碳化硅產業發展注入新的動能 。

自主創新工藝領先 ， 解決超大尺寸碳化硅加工難題
硅來核心研發團隊來自華中科技大學激光學科 ， 技術創新能力強 ， 且深耕激光產業多年 。 團隊針對莫氏硬度高達9.5、接近于金剛石的SiC單晶 ， 自主創新激光剝離技術 ， 先后推出6英寸、8英寸和12英寸碳化硅襯底激光剝離量產設備 。

與行業現有技術路線相比 ， 硅來設備具備明顯的差異化技術優勢 。

  • 在硬件設計上 ， 公司獨創性采用SOC組合光源 ， 相比多臺獨立光源方案具備更高集成度和穩定性；同時搭載自由曲面光路整形技術 ， 并配備“白光干涉面形檢測+反演算法補償”技術 ， 可靠性突出 。 該設備支持不同電阻率碳化硅晶體工藝定制 ， 可承載更高能量 ， 且具備無老化、無壽命限制、強抗干擾等特性 。 此外 ， 設備同時支持6、8、12英寸規格 ， 定位精度與非標尺寸兼容性滿足生產要求 。 單臺1.2m*1.4m的設備即可完成切割全工序與自動上下料 ， 在保證全自動化高性能運行的前提下 ， 大幅節省車間布局空間 。

  • 在關鍵加工指標上 ， 其激光剝離工藝顯著優于傳統線切割工藝 。 在加工效率方面 ， 8英寸單片激光剝離時間小于15分鐘 ， 較傳統線切工藝提升20-30倍；在原料損耗方面 ， 8英寸單片加工損耗僅為60-80μm ， 較傳統線切降低60% ， 且加工過程中不使用任何耗材及化學試劑；在產出效益方面 ， 相較傳統線切工藝 ， 出片量提升30% ， 單片加工成本降低50% 。
把握碳化硅產業風口 ， 硅來獲市場與資本高度認可
作為第三代半導體代表材料 ， 碳化硅具有禁帶寬度大、熔點高、熱導率高等性能優勢 ， 廣泛應用于新能源汽車、智能電網、5G通信等領域 。 目前 ， 8英寸和12英寸碳化硅襯底能夠進一步擴大單片晶圓上的芯片制造面積 ， 在同等生產條件下可顯著提升產量、降低成本 。
憑借領先的技術實力 ， 硅來激光剝離設備獲得了市場的高度認可 。 在不到半年時間內 ， 硅來累計出貨數十套設備 ， 廣泛覆蓋國內多家頭部碳化硅企業 。 得益于模塊化的設計和產業協同 ， 公司已實現規模化量產 ， 設備的批量交付周期為28天 ， 未來有望縮短至14天 。
在資本層面 ， 硅來已經成功引入武漢帝爾激光科技股份有限公司等戰略投資者 。 作為全球領先的激光精密微納加工裝備制造企業 ， 帝爾激光在半導體領域已推出多款領先設備 ， 雙方的協同創新將進一步鞏固硅來在核心賽道的競爭力 。 此外 ， 公司同步布局硅光芯片核心裝備領域 ， 自主研發的硅光芯片激光隱切設備已成功出口海外 ， 將成為未來主要主力機型之一 。
結 語
未來 ， 硅來將聚焦半導體激光裝備核心賽道 ， 持續優化SoC光源、自由曲面光路等核心技術 ， 深化與帝爾激光的協同創新 。 公司將繼續以更先進的技術、更優質的服務賦能碳化硅襯底產業發展 ， 推動多個領域的技術變革 。

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