【韓媒：HBM研究論文數(shù)量，韓國67篇，美國114篇，中國呢？】2月24日 ， 韓國媒體《每日經(jīng)濟》發(fā)表文章稱 ， 韓國在存儲芯片領域獨占鰲頭 ， 而中國緊追不舍 。 韓國和中國的DRAM技術(shù)差距正在迅速縮小 ， 中國的NAND閃存制造能力已達到與韓國幾乎相同的水平 。 最重要的是 ， 中國在高帶寬存儲器（HBM）技術(shù)方面幾乎已經(jīng)超越了韓國 ， 而HBM技術(shù)是人工智能時代的重要組成部分 。
近日 ， 韓國漢陽大學白洙仁教授研究團隊發(fā)布白皮書 ， 利用學術(shù)研究數(shù)據(jù)庫分析HBM研究最新動向 ， 發(fā)現(xiàn)中國學術(shù)機構(gòu)去年在HBM領域共發(fā)表了169篇論文 。 韓國論文只有67篇 。 中國發(fā)表的論文數(shù)量是HBM領先國家韓國的2.5倍以上 。 美國有114篇 ， 德國有30篇 ， 印度有29篇 。 在2000年代初 ， 韓國是發(fā)表HBM論文最多的國家 。
雖然韓國占據(jù)了世界HBM市場的90% ， 但在基礎研究方面卻被中國超越 。 白教授表示 ， “這意味著中國在核心半導體領域積累了比韓國更多的學術(shù)成果” ， 并補充說 ， “包括長鑫存儲在內(nèi)的中國芯片公司將通過大規(guī)模生產(chǎn)HBM2來提高HBM自給率 。 到明年自給率將提高到70%” 。
事實上 ， 在中國 ， 長鑫存儲、武漢新芯、通富微電子等公司已經(jīng)完成了HBM2的開發(fā) 。 通富微電子向華為交付HBM2 。 白教授表示：“韓國和中國在內(nèi)存技術(shù)方面的差距有可能從之前的10年左右縮小到幾年以內(nèi) 。 ”
中國也在大力追趕DRAM 。 根據(jù)Yole Intelligence的數(shù)據(jù) ， 去年長鑫存儲在DRAM市場的份額為5% 。 三星電子、SK海力士和美光的絕對主導體系正在慢慢破裂 。 Trendforce預測 ， 今年第三季度中國產(chǎn)品在存儲器市場上的占有率將達到10.1% 。
長鑫存儲已將內(nèi)存從DDR開發(fā)到DDR5 ， 旨在提高數(shù)據(jù)傳輸速度 。 由于韓國于2021年量產(chǎn)DDR5 ， 韓國與中國之間的技術(shù)差距已縮短至三年左右 。
韓國一位半導體業(yè)界相關(guān)人士表示 ， “由于美國政府大規(guī)模遏制來自中國的半導體 ， 韓國獲得了一些喘息的空間 。 然而中國半導體技術(shù)的發(fā)展速度如此之快 ， 以至于我們幾年來一直不能安心” 。
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