【三星完成HBM4邏輯基礎裸片設計，采用自家4nm制程】1月5日消息 ， 據(jù)《朝鮮日報》報導 ， 三星設備解決方案(DS)部門的內存業(yè)務部最近已經(jīng)了完成HBM4高頻寬內存邏輯芯片的設計 ， 三星Foundry業(yè)務部門也已經(jīng)根據(jù)該設計 ， 采用4nm制程進行了試產(chǎn) ， 在完成邏輯基礎裸片（Logic Base Die）的最終性能驗證后 ， 三星將正式提供HBM4樣品驗證 。
三星HBM3E及之前的HBM都是采用DRAM制程的基礎裸片（Base Die） ， 但是HBM4則會將DRAM Base Die 改成Logic Base Die（邏輯基礎裸片） ， 以推動性能和能效進一步提升 。 具體來說 ， 這個Logic Base die是連接AI加速器內部圖形處理單元（GPU）和DRAM的必備組件 ， 位于DRAM的底部 ， 主要充當GPU和內存之間的一種控制器 ， 并且這個Logic Base Die與之前的Base Die不同 ， 它可以讓客戶自行設計 ， 可以加入客戶自己的IP ， 有利于HBM實現(xiàn)定制化 ， 從而讓數(shù)據(jù)處理更為高效 。 預計可以將功耗大幅降低至之前的30% 。
報道稱 ， Logic Base Die對于HBM4芯片來說相當于大腦 ， 負責控制上方多層DRAM芯片 。 因為在HBM4上 ， 內存堆疊I/O引腳數(shù)量倍增 ， 需整合更多功能等一系列因素 ， 使得全球三大內存原廠均采用邏輯半導體代工幾技術制造來邏輯基礎裸片 。
報導引用韓國市場人士說法 ， 執(zhí)行工作時發(fā)熱是HBM最大敵人 ， 而在堆疊整體中邏輯基礎裸片更是發(fā)熱大戶 ， 需求采先進制程 ， 這有助改善HBM4能效與性能表現(xiàn) 。
三星試圖在HBM4采取更積極路線 ， 以挽回HBM3E流失的HBM市占率 。 三星HBM4除了采用自家4nm制造邏輯基礎裸片外 ， 還將導入10nm級1c制程生產(chǎn)DRAM ， 有望16層堆疊導入無凸塊混合鍵合 。
之前有傳聞稱 ， 三星將為Meta和微軟這兩大AI云服務巨頭提供定制的HBM4內存 ， 以集成在它們的下一代AI解決方案當中 。 根據(jù)預計 ， 三星為微軟定制的HBM4將可能被用于微軟此前發(fā)布的AI芯片“Maia 100” ， 同樣Meta的Artemis AI芯片也可能采用三星的HBM4 。 這對正急于開拓AI市場 ， 縮小與SK海力士之間差距的三星來說 ， 無疑是一個好消息 。
編輯：芯智訊-浪客劍
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