1、晶片材料
硅片的成分是硅 ， 硅由石英砂精制而成 。硅片經硅元素（99．999％）提純后制成硅棒 ， 成為制造集成電路的石英半導體材料 。芯片是芯片制造所需的特定晶片 。晶圓越薄 ， 生產成本就越低 ， 但對工藝的要求就越高 。
2、晶圓涂層
晶圓涂層可以抵抗氧化和溫度 ， 其材料是一種光致抗蝕劑 。
3、晶圓光刻顯影、蝕刻
首先 ， 在晶圓（或基板）表面涂覆一層光刻膠并干燥 。干燥的晶片被轉移到光刻機上 。通過掩模 ， 光將掩模上的圖案投射到晶圓表面的光刻膠上 ， 實現(xiàn)曝光和化學發(fā)光反應 。曝光后的晶圓進行二次烘烤 ， 即所謂曝光后烘烤 ， 烘烤后的光化學反應更為充分 。
【芯片是怎么制作的】最后 ， 顯影劑被噴在晶圓表面的光刻膠上以形成曝光圖案 。顯影后 ， 掩模上的圖案保留在光刻膠上 。糊化、烘烤和顯影都是在均質顯影劑中完成的 ， 曝光是在平版印刷機中完成的 。均化顯影機和光刻機一般都是在線操作 ， 晶片通過機械手在各單元和機器之間傳送 。
整個曝光顯影系統(tǒng)是封閉的 ， 晶片不直接暴露在周圍環(huán)境中 ， 以減少環(huán)境中有害成分對光刻膠和光化學反應的影響 。
4、添加雜質
相應的p和n半導體是通過向晶圓中注入離子而形成的 。
具體工藝是從硅片上的裸露區(qū)域開始 ， 將其放入化學離子混合物中 。這個過程將改變摻雜區(qū)的傳導模式 ， 使每個晶體管都能打開、關閉或攜帶數(shù)據(jù) 。一個簡單的芯片只能使用一層 ， 但一個復雜的芯片通常有許多層 。
此時 ， 該過程連續(xù)重復 ， 通過打開窗口可以連接不同的層 。這與多層pcb的制造原理類似 。更復雜的芯片可能需要多個二氧化硅層 。此時 ， 它是通過重復光刻和上述工藝來實現(xiàn)的 ， 形成一個三維結構 。
5、晶圓
經過上述處理后 ， 晶圓上形成點陣狀晶粒 。用針法測試了各晶粒的電學性能 。一般來說 ， 每個芯片都有大量的晶粒 ， 組織一次pin測試模式是一個非常復雜的過程 ， 這就要求盡可能批量生產相同規(guī)格型號的芯片 。數(shù)量越大 ， 相對成本就越低 ， 這也是主流芯片設備成本低的一個因素 。
6、封裝
同一片芯片芯可以有不同的封裝形式 ， 其原因是晶片固定 ， 引腳捆綁 ， 根據(jù)需要制作不同的封裝形式 。例如：DIP、QFP、PLCC、QFN等 ， 這主要取決于用戶的應用習慣、應用環(huán)境、市場形態(tài)等外圍因素 。
7、測試和包裝
經過上述過程 ， 芯片生產已經完成 。這一步是測試芯片 ， 去除有缺陷的產品 ， 并包裝 。
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