漏極-源極間流經溝道的ID，用以柵極與溝道間的pn結形成的反偏的柵極電壓控制ID” 。更正確地說，ID流經通路的寬度，即溝道截面積，它是由pn結反偏的變化，產生耗盡層擴展變化控制的緣故 。在VGS=0的非飽和區(qū)域，表示的過渡層的擴展因為不很大，根據(jù)漏極-源極間所加VDS的電場，源極區(qū)域的某些電子被漏極拉去，即從漏極向源極有電流ID流動 。從門極向漏極擴展的過度層將溝道的一部分構成堵塞型，ID飽和 。將這種狀態(tài)稱為夾斷 。這意味著過渡層將溝道的一部分阻擋，并不是電流被切斷 。
在過渡層由于沒有電子、空穴的自由移動，在理想狀態(tài)下幾乎具有絕緣特性，通常電流也難流動 。但是此時漏極-源極間的電場，實際上是兩個過渡層接觸漏極與門極下部附近，由于漂移電場拉去的高速電子通過過渡層 。因漂移電場的強度幾乎不變產生ID的飽和現(xiàn)象 。其次，VGS向負的方向變化，讓VGS=VGS（off），此時過渡層大致成為覆蓋全區(qū)域的狀態(tài) 。而且VDS的電場大部分加到過渡層上，將電子拉向漂移方向的電場，只有靠近源極的很短部分，這更使電流不能流通 。
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