CPU電壓方面除了上文提到的SA電壓，還有2個非常關(guān)鍵，分別是CPU VDDQ和CPU VDD2，也其實之前的CPU內(nèi)存控制器電壓，DDR5內(nèi)存才有 。這2個電壓在華碩主板上被寫成是IVR以及MCV電壓 。不過在超頻配搭上，不同顆粒的玩法還真不太一樣 。
其中CHH論壇有大神表示，其中三星顆粒會對CPU VDD2電壓非常敏感，一般要控制在1.25-1.35V之間，太高反而會超頻失??；CPU VDDQ電壓一般區(qū)間在1.35~1.4V就可以了 。而海力士顆粒則需要更高的CPU VDDQ電壓，正常情況都要1.38V，要沖擊高頻率至少要到1.5V，CPU VDD2電壓則維持在1.2V以上，一般不超過1.35V 。
至于SA電壓，使用帶K處理器默認BIOS一般會給的比較高，一般情況下可不動，不過可以適當降一點電壓，對于CPU有一定的降溫左右 。并且有時候過高的SA電壓并不會讓內(nèi)存沖擊更高的頻率 。
關(guān)于內(nèi)存時序：
DDR5還是和DDR4一樣，主要看看CL、tRCD、tRP、tRAS 。而小參方面，依然可以延續(xù)“一壺茶、一包煙、幾套小參玩一天”的時代 。不過可能是因為DDR5頻率過高，一些小參對于AIDA64跑分的影響不是很大，這個就等更專業(yè)的小伙伴來測試 。我個人在超頻上還是動的還是上述的幾個參數(shù) 。
ODT大法：
通過ODT大法可以降低CPU VDDQ和CPU VDD2，沖擊更高的內(nèi)存頻率，不過我個人對于它們的配比還沒有完全弄明白，所以個人目前還是自動模式 。
防掉壓設定
一般防掉壓設為自動也沒啥問題，有的大神建議使用Mode 4模式 。
偷懶的辦法——Memory Try It！
有的小伙伴說：那么多設定太麻煩，有沒有類似XMP一鍵開啟DDR5內(nèi)存超頻的方法？還真有 。這個偷懶的功能就是微星主板BIOS中的Memory Try It！打開這個功能選項可以看到各種預設，從DDR5-4800MHz CL34到DDR5 6400MHz CL48 。不過其中的一些數(shù)據(jù)參數(shù)還比較保守，我的建議是逐個嘗試過去，穩(wěn)定了再沖更高的頻率 。
超頻實測：
比如這個內(nèi)存是默認的科賦DDR5普條，時序是40-40-40-76 CR2，性能表現(xiàn)馬馬虎虎，不過延遲達到了88.4ns 。
超頻到6200MHz，時序為48-48-48-88 。讀取速度突破了93000MB/s，寫入和復制都突破了83000MB/s，延遲為77.5ns 。
進一步調(diào)整時序為44-46-86，性能表現(xiàn)進一步增加，延遲為74.2ns 。
該時序配搭該頻率穩(wěn)定性還不錯，輕松通過RunMemtestPro一輪測試 。
我最高將該科賦內(nèi)存超頻到6400MHz，但通過不了測試，15%開始報錯，預計優(yōu)化下時序也能穩(wěn)定，但性能表現(xiàn)可能還不如6200MHz 。
總結(jié)：
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