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Rom與ram的區(qū)別 rom和ram的區(qū)別

云知道

RAM和ROM的具體的區(qū)別是什么？RAM（Random Access Memory）的全名為隨機(jī)存取記憶體 ， 它相當(dāng)于PC機(jī)上的移動(dòng)存儲(chǔ) ， 用來存儲(chǔ)和保存數(shù)據(jù)的 。它在任何時(shí)候都可以讀寫 ， RAM通常是作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行程序的臨時(shí)存儲(chǔ)介質(zhì)（可稱作系統(tǒng)內(nèi)存） 。\\x0d\\x0a\\x0d\\x0a不過 ， 當(dāng)電源關(guān)閉時(shí)RAM不能保留數(shù)據(jù) ， 如果需要保存數(shù)據(jù) ， 就必須把它們寫入到一個(gè)長期的存儲(chǔ)器中（例如硬盤） 。正因?yàn)槿绱?nbsp;， 有時(shí)也將RAM稱作“可變存儲(chǔ)器” 。RAM內(nèi)存可以進(jìn)一步分為靜態(tài)RAM（SRAM）和動(dòng)態(tài)內(nèi)存（DRAM）兩大類 。DRAM由于具有較低的單位容量價(jià)格 ， 所以被大量的采用作為系統(tǒng)的主記憶 。\\x0d\\x0a\\x0d\\x0aROM（Read Only Memory）的全名為唯讀記憶體 ， 它相當(dāng)于PC機(jī)上的硬盤 ， 用來存儲(chǔ)和保存數(shù)據(jù) 。ROM數(shù)據(jù)不能隨意更新 ， 但是在任何時(shí)候都可以讀取 。即使是斷電 ， ROM也能夠保留數(shù)據(jù) 。但是資料一但寫入后只能用特殊方法或根本無法更改 ， 因此ROM常在嵌入式系統(tǒng)中擔(dān)任存放作業(yè)系統(tǒng)的用途 ?，F(xiàn)在市面上主流的PDA的ROM大小是64MB以及128MB 。\\x0d\\x0a\\x0d\\x0aRAM和ROM相比 ， 兩者的區(qū)別是RAM在斷電以后保存在上面的數(shù)據(jù)會(huì)自動(dòng)消失 ， 而ROM就不會(huì) 。\\x0d\\x0a由于ROM不易更改的特性讓更新資料變得相當(dāng)麻煩 ， 因此就有了Flash Memory的發(fā)展  ， Flash Memory具有ROM不需電力維持資料的好處 ， 又可以在需要的時(shí)候任意更改資料  ， 不過單價(jià)也比普通的ROM要高 。\\x0d\\x0a\\x0d\\x0aSRAM速度非?？?nbsp;， 是目前讀寫快的存儲(chǔ)設(shè)備了 ， 但是它也非常昂貴 ， 所以只在要求很苛刻的地方使用 ， 譬如CPU的一級(jí)緩沖 ， 二級(jí)緩沖 。動(dòng)態(tài)RAM（Dynamic RAM/DRAM）保留數(shù)據(jù)的時(shí)間很短 ， 速度也比SRAM慢 ， 不過它還是比任何的ROM都要快 ， 但從價(jià)格上來說DRAM相比SRAM要便宜很多 ， 計(jì)算機(jī)內(nèi)存就是DRAM的 。\\x0d\\x0aDRAM分為很多種 ， 常見的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等 ， 這里介紹其中的一種DDR RAM 。\\x0d\\x0aDDR RAM（Date-Rate RAM）也稱作DDR SDRAM ， 這種改進(jìn)型的RAM和SDRAM是基本一樣的 ， 不同之處在于它可以在一個(gè)時(shí)鐘讀寫兩次數(shù)據(jù) ， 這樣就使得數(shù)據(jù)傳輸速度加倍了 。這是目前電腦中用得多的內(nèi)存 ， 而且它有著成本優(yōu)勢 ， 事實(shí)上擊敗了Intel的另外一種內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)－Rambus DRAM 。在很多高端的顯卡上 ， 也配備了高速DDR RAM來提高帶寬 ， 這可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力 。\\x0d\\x0a內(nèi)存工作原理：內(nèi)存是用來存放當(dāng)前正在使用的（即執(zhí)行中）的數(shù)據(jù)和程序 ， 我們平常所提到的計(jì)算機(jī)的內(nèi)存指的是動(dòng)態(tài)內(nèi)存（即DRAM） ， 動(dòng)態(tài)內(nèi)存中所謂的\”動(dòng)態(tài)\” ， 指的是當(dāng)我們將數(shù)據(jù)寫入DRAM后 ， 經(jīng)過一段時(shí)間 ， 數(shù)據(jù)會(huì)丟失 ， 因此需要一個(gè)額外設(shè)電路進(jìn)行內(nèi)存刷新操作 。\\x0d\\x0a具體的工作過程是這樣的：一個(gè)DRAM的存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)的是0還是1取決于電容是否有電荷 ， 有電荷代表1 ， 無電荷代表0 。但時(shí)間一長 ， 代表1的電容會(huì)放電 ， 代表0的電容會(huì)吸收電荷 ， 這就是數(shù)據(jù)丟失的原因；刷新操作定期對電容進(jìn)行檢查 ， 若電量大于滿電量的1／2 ， 則認(rèn)為其代表1 ， 并把電容充滿電；若電量小于1／2 ， 則認(rèn)為其代表0 ， 并把電容放電 ， 藉此來保持?jǐn)?shù)據(jù)的連續(xù)性 。\\x0d\\x0aROM也有很多種 ， PROM是可編程的ROM ， PROM和EPROM（可擦除可編程ROM）兩者區(qū)別是 ， PROM是一次性的 ， 也就是軟件灌入后 ， 就無法修改了 ， 這種是早期的產(chǎn)品 ， 現(xiàn)在已經(jīng)不可能使用了 ， 而EPROM是通過紫外光的照射擦出原先的程序 ， 是一種通用的存儲(chǔ)器 。另外一種EEPROM是通過電子擦出 ， 價(jià)格很高 ， 寫入時(shí)間很長 ， 寫入很慢 。\\x0d\\x0a舉個(gè)例子 ， 手機(jī)軟件一般放在EEPROM中 ， 我們打 ， 有些后撥打的號(hào)碼 ， 暫時(shí)是存在SRAM中的 ， 不是馬上寫入通過記錄（通話記錄保存在EEPROM中） ， 因?yàn)楫?dāng)時(shí)有很重要工作（通話）要做 ， 如果寫入 ， 漫長的等待是讓用戶忍無可忍的 。\\x0d\\x0a\\x0d\\x0aFLASH存儲(chǔ)器又稱閃存 ， 它結(jié)合了ROM和RAM的長處 ， 不僅具備電子可擦除可編程（EEPROM）的性能 ， 還不會(huì)斷電丟失數(shù)據(jù)同時(shí)可以快速讀取數(shù)據(jù)（NVRAM的優(yōu)勢） ， U盤和MP3里用的就是這種存儲(chǔ)器 。在過去的20年里 ， 嵌入式系統(tǒng)一直使用ROM（EPROM）作為它們的存儲(chǔ)設(shè)備 ， 然而近年來Flash全面代替了ROM（EPROM）在嵌入式系統(tǒng)中的地位 ， 用作存儲(chǔ)Bootloader以及操作系統(tǒng)或者程序代碼或者直接當(dāng)硬盤使用（U盤） 。\\x0d\\x0a目前Flash主要有兩種NOR Flash和NADN Flash 。NOR Flash的讀取和我們常見的SDRAM的讀取是一樣 ， 用戶可以直接運(yùn)行裝載在NOR FLASH里面的代碼 ， 這樣可以減少SRAM的容量從而節(jié)約了成本 。NAND Flash沒有采取內(nèi)存的隨機(jī)讀取技術(shù) ， 它的讀取是以一次讀取一塊的形式來進(jìn)行的 ， 通常是一次讀取512個(gè)字節(jié) ， 采用這種技術(shù)的Flash比較廉價(jià) 。用戶不能直接運(yùn)行NAND Flash上的代碼 ， 因此好多使用NAND Flash的開發(fā)板除了使用NAND Flah以外 ， 還作上了一塊小的NOR Flash來運(yùn)行啟動(dòng)代碼 。\\x0d\\x0a一般小容量的用NOR Flash ， 因?yàn)槠渥x取速度快 ， 多用來存儲(chǔ)操作系統(tǒng)等重要信息 ， 而大容量的用NAND FLASH ， 常見的NAND FLASH應(yīng)用是嵌入式系統(tǒng)采用的DOC（Disk On Chip）和我們通常用的\”閃盤\” ， 可以擦除 。目前市面上的FLASH 主要來自Intel ， AMD ， Fujitsu和Mxic ， 而生產(chǎn)NAND Flash的主要廠家有Samsung和Toshiba及Hynix 。

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