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3D晶體管之父胡正明獲IEEE最高榮譽(yù) 光子神經(jīng)形態(tài)芯片

曉查 發(fā)自 凹非寺 量子位 報(bào)道 | 公眾號(hào) QbitAI
IEEE最高榮譽(yù)揭曉,華人科學(xué)家斬獲年度殊榮 。
近日,國(guó)際電子電氣工程學(xué)會(huì)(IEEE)公布了2020年IEEE榮譽(yù)獎(jiǎng)?wù)芦@得者,華人學(xué)者胡正明獲獎(jiǎng),他是歷史上第三位獲得該獎(jiǎng)項(xiàng)的華人學(xué)者 。

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△ 胡正明(圖片來自IEEE)
胡正明獲獎(jiǎng)原因是他“開發(fā)半導(dǎo)體模型并將其投入生產(chǎn)實(shí)踐,尤其是3D器件結(jié)構(gòu),使摩爾定律又持續(xù)了數(shù)十年” 。摩爾也曾在2008年獲得過IEEE榮譽(yù)獎(jiǎng)?wù)?。
胡正明于1999年開發(fā)出了FinFET,因此被稱為3D晶體管之父 。這項(xiàng)發(fā)明被看做是50多年來半導(dǎo)體技術(shù)的重大轉(zhuǎn)變 。
當(dāng)晶體管的尺寸小于25納米時(shí),傳統(tǒng)的平面場(chǎng)效應(yīng)管的尺寸已經(jīng)無法縮小 。FinFET的出現(xiàn)將場(chǎng)效應(yīng)管立體化,晶體管密度才能進(jìn)一步加大,讓摩爾定律得以維持下去 。
FinFET是現(xiàn)代納米電子半導(dǎo)體器件制造的基礎(chǔ),現(xiàn)在7nm芯片使用的就是FinFET設(shè)計(jì) 。
【3D晶體管之父胡正明獲IEEE最高榮譽(yù) 光子神經(jīng)形態(tài)芯片】
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關(guān)于IEEE榮譽(yù)獎(jiǎng)?wù)翴EEE榮譽(yù)獎(jiǎng)?wù)拢↖EEE Medal of Honor),創(chuàng)立于1917年,每年僅授予一人,是國(guó)際電子電氣工程學(xué)會(huì)的最高榮譽(yù),也是世界電氣電子工程學(xué)界的最高獎(jiǎng)勵(lì) 。
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歷史獲得該獎(jiǎng)?wù)碌闹耸窟€有晶體管發(fā)明者巴丁和信息論創(chuàng)始人香農(nóng) 。
此前僅有兩位華人獲得過該獎(jiǎng)?wù)?,分別是貝爾實(shí)驗(yàn)室研發(fā)部前主任卓以和(1994年)、臺(tái)積電前董事長(zhǎng)張忠謀(2011年) 。
今年的獎(jiǎng)項(xiàng)計(jì)劃在5月15日在溫哥華舉辦“的IEEE愿景、創(chuàng)新和挑戰(zhàn)峰會(huì)”上的年度IEEE榮譽(yù)典禮上頒發(fā) 。
胡正明簡(jiǎn)介胡正明1947年出生于北京,后移居臺(tái)灣,1968年畢業(yè)于臺(tái)灣大學(xué)電機(jī)工程系 。此后赴美國(guó)留學(xué),1973年獲加州大學(xué)伯克利分校博士學(xué)位 。
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自1976年以來,他一直是加州大學(xué)伯克利分校電氣工程和計(jì)算機(jī)系的教授 。他還投身產(chǎn)業(yè)界,曾擔(dān)任半導(dǎo)體制造商安霸的董事會(huì)成員,后來于2001~2004年又擔(dān)任臺(tái)積電CTO 。
在學(xué)術(shù)方面,胡正明總共撰寫了五本書,發(fā)表了900篇研究論文,并擁有100多項(xiàng)美國(guó)專利 。
胡正明還是IEEE Fellow、美國(guó)國(guó)家工程院院士、中國(guó)科學(xué)院外籍院士,并且還是中國(guó)科學(xué)院微電子所、清華大學(xué)等院校的榮譽(yù)教授 。
胡正明多次獲得過IEEE授予的榮譽(yù)獎(jiǎng)項(xiàng),2016年入選硅谷工程師名人堂,并在當(dāng)年由美國(guó)總統(tǒng)奧巴馬授予白宮國(guó)家技術(shù)創(chuàng)新獎(jiǎng) 。
— 完 —
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