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近日 ， 兆馳半導(dǎo)體、秋水半導(dǎo)體、爍軒半導(dǎo)體、 先禾新材料、羅化芯顯示科技、思坦科技、廈門未來顯示等企業(yè)以及湖南大學(xué)、福州大學(xué)、華中科技大學(xué)、武漢大學(xué)、閩都創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)室、中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所等大學(xué)和科研機(jī)構(gòu)相繼公布多項(xiàng)Micro LED發(fā)明專利 。
這些發(fā)明專利針對(duì)當(dāng)前Micro LED的痛點(diǎn)提出有效解決方案 ， 分別實(shí)現(xiàn)簡化發(fā)光結(jié)構(gòu)、簡化驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)、提高可靠性和良品率、解決刻蝕不凈現(xiàn)象、提升芯片的光電性能、提升發(fā)光效率 ， 降低功耗、提高顯示均勻性 ， 減少光串?dāng)_現(xiàn)象、提高飽和度、實(shí)現(xiàn)高分辨/高色域/高對(duì)比度性能、有效保護(hù)Micro?LED芯片等技術(shù)改進(jìn) 。 以下是Pjtime.com從國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局獲悉的近1月公布的部分Micro LED專利 。
秋水半導(dǎo)體：Micro-LED顯示設(shè)備 ， 提高可靠性和良品率
蘇州秋水半導(dǎo)體科技有限公司申請一項(xiàng)名為“ Micro-LED顯示設(shè)備”的發(fā)明專利 ， 申請公布號(hào)為CN119133205A ， 申請公布日為2024月12月13日 ， 發(fā)明人為王前文 。
本申請公開了Micro?LED顯示設(shè)備 ， Micro?LED顯示設(shè)備包括襯底以及設(shè)置于襯底的主表面上的層系組合 ， 其中沿垂直于主表面的方向觀察 ， 層系組合劃分為顯示區(qū)和外圍區(qū) ， 顯示區(qū)包括以預(yù)定方式排列的多個(gè)功能層 ， 并形成多個(gè)顯示像素 ， 外圍區(qū)環(huán)繞設(shè)置于顯示區(qū)的外圍 ， 并由顯示區(qū)中的一部分功能層延續(xù)形成 ， 其中Micro?LED顯示設(shè)備還包括隔離環(huán) ， 隔離環(huán)嵌設(shè)于外圍區(qū)內(nèi) ， 并隨顯示區(qū)中的另一部分功能層同步形成 ， 隔離環(huán)環(huán)繞設(shè)置于顯示區(qū)的外圍 ， 并與顯示區(qū)保持預(yù)定間隔 。 通過上述方法 ， 本申請過能夠提高M(jìn)icro?LED顯示設(shè)備的可靠性和良品率 。
據(jù)悉 ， 蘇州秋水半導(dǎo)體科技有限公司成立于2022年11月30日 ， 其率先實(shí)現(xiàn)8英寸Hybrid Bonding Micro-LED工藝通線 ， 實(shí)現(xiàn)原子級(jí)平整界面控制 ， 實(shí)現(xiàn)了>95%面積的完美貼合 ， 率先實(shí)現(xiàn)8英寸Hybrid Bonding Micro-LED工藝通線 ， 并完成數(shù)字車燈產(chǎn)品的封裝工藝打通和驅(qū)動(dòng)點(diǎn)亮 。
爍軒半導(dǎo)體： 一種面向Micro-LED顯示的驅(qū)動(dòng)方法及芯片 ， 降低功耗、提高顯示均勻性
安徽爍軒半導(dǎo)體有限公司申請一項(xiàng)名為“一種面向Micro-LED顯示的驅(qū)動(dòng)方法及芯片”的發(fā)明專利 ， 申請公布號(hào)為CN119107901A ， 申請公布日為2024月12月10日 ， 發(fā)明人為趙茂、張若平、劉振陽 。
本申請公開了一種面向Micro?LED顯示的驅(qū)動(dòng)方法及芯片 ， 屬于涉及LED顯示技術(shù)領(lǐng)域 ， 包括：獲取待顯示圖像的像素點(diǎn)總數(shù)；根據(jù)像素點(diǎn)總數(shù) ， 將待顯示圖像劃分為多個(gè)子區(qū)域 ， 每個(gè)子區(qū)域包含由多個(gè)驅(qū)動(dòng)單元組成的像素陣列；將每個(gè)像素點(diǎn)的灰度數(shù)據(jù)通過預(yù)設(shè)協(xié)議傳輸至對(duì)應(yīng)子區(qū)域的驅(qū)動(dòng)單元；驅(qū)動(dòng)單元接收行信號(hào)、灰度數(shù)據(jù)、基準(zhǔn)電流以及時(shí)鐘信號(hào)作為輸入信號(hào)；當(dāng)接收到行信號(hào)時(shí) ， 驅(qū)動(dòng)單元將灰度數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為PWM信號(hào) ， PWM信號(hào)的占空比由灰度數(shù)據(jù)決定；根據(jù)PWM信號(hào)控制基準(zhǔn)電流的輸出時(shí)間 ， 從而生成與灰度數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)電流 ， 驅(qū)動(dòng)像素點(diǎn)發(fā)光 。 針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中Micro?LED顯示驅(qū)動(dòng)芯片功耗大 ， 本申請?jiān)诮档凸牡耐瑫r(shí)提高了顯示均勻性 。
安徽爍軒半導(dǎo)體有限公司成立于 2023年9月 ， 是一家行業(yè)技術(shù)領(lǐng)先的集成電路設(shè)計(jì)企業(yè) ， 全資收購并基于南京浣軒開展光電芯片驅(qū)動(dòng)(控制)業(yè)務(wù) 。 主營產(chǎn)品為微顯示驅(qū)動(dòng)、微背光驅(qū)動(dòng)、微投影驅(qū)動(dòng)及應(yīng)用解決方案 ， 產(chǎn)品主要應(yīng)用在超高清顯示、車載顯示、車載微投影(前后大燈)等領(lǐng)域 。 已經(jīng)連續(xù)5年為央視春晚提供優(yōu)質(zhì)LED驅(qū)動(dòng)芯片產(chǎn)品與綜合解決方案 。 今年4月 ， 爍軒超高清顯示及車規(guī)級(jí)芯片項(xiàng)目開工 。
兆馳半導(dǎo)體：低電壓Micro-LED外延片及其制備方法 ， 提升發(fā)光效率
江西兆馳半導(dǎo)體有限公司申請一項(xiàng)名為“ 低電壓Micro-LED外延片及其制備方法”的發(fā)明專利 ， 申請公布號(hào)為CN119069598A ， 申請公布日為2024月11月22日 ， 發(fā)明人為胡加輝、鄭文杰、高虹、劉春楊、金從龍 。
本發(fā)明公開了一種低電壓Micro?LED外延片及其制備方法、Micro?LED ， 涉及半導(dǎo)體光電器件領(lǐng)域 。 低電壓Micro?LED外延片依次包括襯底、緩沖層、非摻雜GaN層、N型GaN層、多量子阱層、電子阻擋層、P型GaN層和P型接觸層；其中 ， 所述P型接觸層包括依次層疊于所述P型GaN層上的多孔AlInN層、二維P型BGaN層、AlN粗化層、P型BInGaN納米團(tuán)簇層和P型AlInGaN粗化層；其中 ， 所述多孔AlInN層通過H2刻蝕AlInN層制得 ， 所述P型AlInGaN粗化層通過N2粗化P型AlInGaN層制得 。 實(shí)施本發(fā)明 ， 可降低工作電壓 ， 且提升光提取效率 ， 進(jìn)而提升發(fā)光效率 。
兆馳半導(dǎo)體：高光效Micro-LED外延片及其制備方法：提升發(fā)光效率
江西兆馳半導(dǎo)體有限公司申請一項(xiàng)名為“高光效Micro-LED外延片及其制備方法”的發(fā)明專利 ， 申請公布號(hào)為CN119050225A ， 申請公布日為2024月11月29日 ， 發(fā)明人為胡加輝、鄭文杰、高虹、劉春楊、金從龍 。
本發(fā)明公開了一種高光效Micro?LED外延片及其制備方法、Micro?LED ， 涉及半導(dǎo)體光電器件領(lǐng)域 。 Micro?LED外延片依次包括襯底、緩沖層、非摻雜GaN層、N型GaN層、多量子阱層、空穴擴(kuò)展層、空穴存儲(chǔ)層和空穴層；空穴擴(kuò)展層為周期性結(jié)構(gòu) ， 每個(gè)周期均包括依次層疊的BN層和Mg輕摻GaN層；空穴存儲(chǔ)層為周期性結(jié)構(gòu) ， 每個(gè)周期均包括依次層疊的GaN層、InGaN層和Mg摻AlGaN層；空穴層為周期性結(jié)構(gòu) ， 每個(gè)周期均包括依次層疊的P型BInGaN層、Mg3N2層和P型GaN層；P型GaN層的摻雜濃度≥1×1019cm?3 。 實(shí)施本發(fā)明 ， 可提升發(fā)光效率 。
兆馳半導(dǎo)體：一種Micro-LED芯片及其制備方法：提升良率
江西兆馳半導(dǎo)體有限公司申請一項(xiàng)名為“一種Micro-LED芯片及其制備方法”的發(fā)明專利 ， 申請公布號(hào)為CN119008795A ， 申請公布日為2024月11月8日 ， 發(fā)明人為汪恒青、張星星、胡加輝、金從龍 。
本發(fā)明公開了一種Micro?LED芯片及其制備方法 ， 該方法包括：提供一外延片；在P型半導(dǎo)體層上制作透明導(dǎo)電層；將制作透明導(dǎo)電層后的外延片放置于退火設(shè)備中進(jìn)行退火處理；對(duì)P型半導(dǎo)體層與多量子阱層進(jìn)行刻蝕 ， 暴露出N型半導(dǎo)體層的表面以形成MESA臺(tái)面；在MESA臺(tái)面與透明導(dǎo)電層上分別制作N型電極層與P型電極層；在N型電極層與P型電極層上制作保護(hù)層；對(duì)保護(hù)層、N型電極層與P型電極層進(jìn)行研磨拋光 ， 使外延片的厚度自一初始厚度改變至一目標(biāo)厚度；在保護(hù)層上制作與N型電極層連接的N型焊盤層 ， 以及與P型電極層連接的P型焊盤層 。 本發(fā)明旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中Micro?LED芯片基本只能依靠金屬鍵合 ， 而焊盤表面的不平整會(huì)導(dǎo)致鍵合時(shí)良率不高的技術(shù)問題 。
兆馳半導(dǎo)體：一種藍(lán)光Micro-LED的外延片及其制備方法
12月10日 ， 該專利進(jìn)入授權(quán)階段 。
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體材料技術(shù)領(lǐng)域 ， 公開了一種藍(lán)光Micro-LED的外延片及其制備方法 ， 外延片中多量子阱發(fā)光層包括依次層疊生長的第一淺藍(lán)光多量子阱層 ， 第二淺藍(lán)光多量子阱層 ， 第三藍(lán)光多量子阱層和第四淺藍(lán)光多量子阱層；第一淺藍(lán)光多量子阱層為依次周期性交替生長的第一InGaN多量子阱層與第一多量子阱復(fù)合壘層的超晶格結(jié)構(gòu)；第二淺藍(lán)光多量子阱層為依次周期性交替生長的第二InGaN多量子阱層與第二多量子阱復(fù)合壘層的超晶格結(jié)構(gòu)；第三藍(lán)光多量子阱層為依次周期性交替生長的第三InGaN多量子阱層與Si摻GaN多量子壘層的超晶格結(jié)構(gòu)；第四淺藍(lán)光多量子阱層為依次周期性交替生長的第四InGaN多量子阱層與的超晶格結(jié)構(gòu) 。
實(shí)施本發(fā)明 ， 可提高M(jìn)icro-LED在低工作電流密度下的光效、良率 。
兆馳半導(dǎo)體：一種藍(lán)光Micro-LED的外延結(jié)構(gòu)及其制備方法 ， 提高光效、良率
12月10日 ， 該專利進(jìn)入授權(quán)階段 。
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體材料的技術(shù)領(lǐng)域 ， 公開了一種藍(lán)光Micro-LED的外延結(jié)構(gòu)及其制備方法 ， 外延結(jié)構(gòu)包括襯底 ， 在所述襯底上依次層疊的緩沖層 ， N型半導(dǎo)體層 ， 低溫應(yīng)力釋放層 ， 多量子阱發(fā)光層 ， 電子阻擋層和P型半導(dǎo)體層 ， 所述多量子阱發(fā)光層包括由下至上依次層疊生長的第一淺藍(lán)光多量子阱子層 ， 第二淺藍(lán)光多量子阱子層 ， 第三藍(lán)光多量子阱子層和第四淺藍(lán)光多量子阱子層 ， 其中每層子層均為InGaN多量子阱層與多量子壘層的超晶格結(jié)構(gòu) 。
實(shí)施本發(fā)明 ， 可降低生長InGaN量子阱時(shí)的應(yīng)力 ， 顯著改善多量子阱發(fā)光層的質(zhì)量 ， 同時(shí)提高P型半導(dǎo)體層的空穴注入效率 ， 從而提高M(jìn)icro-LED芯片在低工作電流密度下的光效、良率等性能 ， 適用于小尺寸、低電流以及低功率的藍(lán)光Micro-LED 。
兆馳半導(dǎo)體：一種Micro-LED的外延結(jié)構(gòu)及其制備方法 ， 提升發(fā)光亮度
12月3日 ， 該專利進(jìn)入授權(quán)階段 。
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體材料的技術(shù)領(lǐng)域 ， 公開了一種Micro-LED的外延結(jié)構(gòu)及其制備方法 ， 所述外延結(jié)構(gòu)包括襯底 ， 在所述襯底上依次層疊的緩沖層 ， 未摻雜的GaN層 ， N型摻雜GaN層 ， 插入層 ， 多量子阱層 ， 電子阻擋層 ， P型摻雜GaN層和接觸層；其中 ， 所述插入層包括于所述N型摻雜GaN層上依次設(shè)置的AlN層、圖形化的GaSb層、Al金屬層和InGaN層 。
在N型摻雜GaN層和多量子阱層之間設(shè)置插入層 ， 可以降低生長多量子阱層時(shí)的應(yīng)力 ， 并降低多量子阱層的位錯(cuò)密度 ， 提高多量子阱層的晶體質(zhì)量 ， 從而提高M(jìn)icro-LED的內(nèi)量子效率 ， 降低工作電壓 ， 提升發(fā)光亮度 。
先禾新材料：Micro-Led粘貼用導(dǎo)電銀膠及其制備方法與應(yīng)用方法 ， 使Micro?Led芯片被100%點(diǎn)亮
先禾新材料（蘇州）有限公司申請一項(xiàng)名為“Micro-Led粘貼用導(dǎo)電銀膠及其制備方法與應(yīng)用方法”的發(fā)明專利 ， 申請公布號(hào)為CN118995105A ， 申請公布日為2024月11月22日 ， 發(fā)明人為陳實(shí)、楊龍、涂照康、黃勇、熊勇 。
本發(fā)明公開了Micro?Led粘貼用導(dǎo)電銀膠及其制備方法與應(yīng)用方法 ， 其中制備方法包括：步驟S1：按質(zhì)量份計(jì)配備材料；步驟S2：將銀鹽、醇胺和醇酯溶劑避光條件下用行星式分散設(shè)備分散得到均一液態(tài)銀胺絡(luò)合液 ， 避光冷凍存儲(chǔ)備用；步驟S3：將所述液態(tài)環(huán)氧樹脂、酸酐固化劑以及銀絡(luò)合液在避日光條件下用行星式分散設(shè)備分散得到粘度為1000cps?5000cps導(dǎo)電銀膠 。 本方案可適用于口徑為3μm的EHD噴嘴 ， 同時(shí)也能確保接收基材與Micro?LED芯片的介面粘附大于芯片與底襯之間的作用力 ， 并在導(dǎo)電銀膠固化后形成導(dǎo)電通路實(shí)現(xiàn)Micro?Led芯片與金屬基板之間導(dǎo)電接觸 ， 使Micro?Led芯片被100%點(diǎn)亮 。
先禾新材料（蘇州）有限公司成立于2022年02月17日 ， 注冊資本1000萬(元) ， 是一家專業(yè)電子材料提供商 ， 提供高性能的導(dǎo)熱、防護(hù)、導(dǎo)電、粘接等多系列的產(chǎn)品 ， 廣泛應(yīng)用于通信、汽車、消費(fèi)電子、家用電器、工控、照明、半導(dǎo)體及電子元器件等領(lǐng)域 。
羅化芯：一種AR/VR全彩Micro-LED顯示裝置及其制備方法 ， 有效保護(hù)Micro?LED芯片
羅化芯顯示科技開發(fā)（江蘇）有限公司申請一項(xiàng)名為“一種AR/VR全彩Micro-LED顯示裝置及其制備方法”的發(fā)明專利 ， 申請公布號(hào)為CN118969937A ， 申請公布日為2024月11月15日 ， 發(fā)明人為李雍、陳文娟、王春桃 。
本發(fā)明涉及一種AR/VR全彩Micro?LED顯示裝置及其制備方法 ， 涉及半導(dǎo)體顯示技術(shù)領(lǐng)域 。 在本申請的AR/VR全彩Micro?LED顯示裝置的制備方法中 ， 通過設(shè)置層疊設(shè)置的第一保護(hù)層、第二保護(hù)層以及第三保護(hù)層 ， 且第二保護(hù)層的密度大于第一保護(hù)層的密度 ， 且所述第二保護(hù)層中臨近所述第一保護(hù)層的一側(cè)的密度小于所述第二保護(hù)層的另一側(cè)的密度 ， 且兩側(cè)密度差為0.6?1.5g/cm3；所述第三保護(hù)層的密度大于所述第二保護(hù)層的所述另一側(cè)的密度 ， 通過設(shè)置密度逐漸變化的第二保護(hù)層 ， 進(jìn)而使得第二保護(hù)層的致密性逐漸提高 ， 有效保護(hù)第一保護(hù)層的同時(shí) ， 使得第二保護(hù)層的外表面的剛性增加 ， 且第三保護(hù)層的剛性更大 ， 進(jìn)而在后續(xù)轉(zhuǎn)移工序以及使用過程中 ， 有效保護(hù)Micro?LED芯片 。
思坦科技：Micro-LED發(fā)光結(jié)構(gòu)及其制作方法和電子設(shè)備 ， 簡化了發(fā)光結(jié)構(gòu)的加工流程
深圳市思坦科技有限公司申請一項(xiàng)名為“ Micro-LED發(fā)光結(jié)構(gòu)及其制作方法和電子設(shè)備”的發(fā)明專利 ， 申請公布號(hào)為CN118919614A ， 申請公布日為2024月11月8日 ， 發(fā)明人為吳濤、張珂 。
本申請?zhí)峁┝艘环NMicro?LED發(fā)光結(jié)構(gòu)的制作方法、Micro?LED發(fā)光結(jié)構(gòu)和電子設(shè)備 。 該制作方法包括：在襯底上生長緩沖層和外延層 ， 在外延層上形成掩模鈍化層 ， 干法刻蝕掩模鈍化層形成多個(gè)像素空間和多個(gè)像素隔離部 ， 在刻蝕后的掩模鈍化層上逐層形成量子阱發(fā)光層、電子限制層和電流擴(kuò)散層 ， 應(yīng)用濕法工藝刻蝕像素隔離部直至顯露外延層 ， 得到在像素空間中形成的側(cè)壁完好的臺(tái)階像素結(jié)構(gòu) 。 本申請的方法制作的Micro?LED發(fā)光結(jié)構(gòu)的側(cè)壁完好 ， 光電效率提升 ， 該方法還簡化了發(fā)光結(jié)構(gòu)的加工流程 。
廈門未來顯示：一種具有疊層的Micro-LED芯片及其制作方法 ， 解決刻蝕不凈現(xiàn)象
乾照光電控股子公司廈門未來顯示技術(shù)研究院有限公司申請一項(xiàng)名為“ 一種具有疊層的Micro-LED芯片及其制作方法”的發(fā)明專利 ， 申請公布號(hào)為CN118919622A ， 申請公布日為2024月11月8日 ， 發(fā)明人為段其濤、王樂、馮妍雪、江晟權(quán)、柯志杰 。
本發(fā)明提供了一種具有疊層的Micro?LED芯片及其制作方法 ， 利用呈階梯狀的疊層技術(shù) ， 使所有的P型半導(dǎo)體層在相應(yīng)的階梯面各自具有電極接入?yún)^(qū)域 ， 可在實(shí)現(xiàn)第一發(fā)光結(jié)構(gòu)、第二發(fā)光結(jié)構(gòu)以及第三發(fā)光結(jié)構(gòu)的獨(dú)立驅(qū)動(dòng)的基礎(chǔ)上 ， 可最大限度地節(jié)省晶圓面積實(shí)現(xiàn)全彩化 ， 降低生產(chǎn)成本；同時(shí)結(jié)合所述第一發(fā)光結(jié)構(gòu)的P型半導(dǎo)體層和所述第二發(fā)光結(jié)構(gòu)的P型半導(dǎo)體層通過絕緣鍵合層進(jìn)行鍵合的設(shè)置 ， 如此可避免聚合物粘合劑在鍵合所述第一發(fā)光結(jié)構(gòu)和第二發(fā)光結(jié)構(gòu)過程中所出現(xiàn)的因鍵合厚度不均勻而導(dǎo)致的刻蝕不凈現(xiàn)象 。
廈門未來顯示技術(shù)研究院有限公司成立于2020年04月15日 ， 注冊資本1055 萬元人民幣 ， 其中廈門乾照光電股份有限公司認(rèn)繳出資額 1000 萬元 ， 蘇州亞禾亞韓光電產(chǎn)業(yè)投資合伙企業(yè)（有限合伙）認(rèn)繳出資額 21.1 萬元 ， 柯志杰認(rèn)繳出資額 33.9 萬元 。 三者分別持股94.78673%、2%和3.21327% 。
湖南大學(xué)：防光串?dāng)_的堆疊結(jié)構(gòu)Micro-LED顯示模塊及其制備方法 ， 減少光串?dāng)_現(xiàn)象、提高飽和度
湖南大學(xué)申請一項(xiàng)名為“ 防光串?dāng)_的堆疊結(jié)構(gòu)Micro-LED顯示模塊及其制備方法”的發(fā)明專利 ， 申請公布號(hào)為CN119133208A ， 申請公布日為2024月12月13日 ， 發(fā)明人為陳舒拉、廖小琴、易瀟、潘安練 。
本申請公開了防光串?dāng)_的堆疊結(jié)構(gòu)Micro?LED顯示模塊及其制備方法；涉及光學(xué)半導(dǎo)體領(lǐng)域 ， 該顯示模塊包括多個(gè)陣列設(shè)置的像素點(diǎn)單元 ， 像素點(diǎn)單元包括堆疊設(shè)置的基板層和鈍化層 ， 基板層和鈍化層之間設(shè)有多個(gè)發(fā)光區(qū)塊 ， 多個(gè)發(fā)光區(qū)塊堆疊設(shè)置；每個(gè)發(fā)光區(qū)塊上均設(shè)有N電極 ， 多個(gè)N電極之間相互不連通 ， 多個(gè)發(fā)光區(qū)塊共同連接有P電極；N電極與P電極之間通過鈍化層隔絕；該方法是通過逐層堆疊并圖案化制備的該顯示模塊；本申請將多個(gè)發(fā)光區(qū)塊的電極分隔設(shè)置 ， 正反向電壓或電流的控制下 ， 使短波長LED對(duì)長波長LED光致發(fā)光效應(yīng)產(chǎn)生的光生載流子反向遷移 ， 不在發(fā)光層復(fù)合發(fā)光 ， 實(shí)現(xiàn)不同波長完全依靠電控制發(fā)光 ， 在外加偏壓調(diào)控的情況下 ， 減少多色堆疊Micro?LED芯片中光串?dāng)_的現(xiàn)象 ， 提高M(jìn)icro?LED顯示的飽和度 。
福州大學(xué)：一種基于電感儲(chǔ)能的共用數(shù)據(jù)引線彩色Micro-LED器件驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu) ， 簡化驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)
福州大學(xué)申請一項(xiàng)名為“ 一種基于電感儲(chǔ)能的共用數(shù)據(jù)引線彩色Micro-LED器件驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)”的發(fā)明專利 ， 申請公布號(hào)為CN119107899A ， 申請公布日為2024月12月10日 ， 發(fā)明人為林珊玲、苗華康、林堅(jiān)普、林志賢、呂珊紅、郭太良 。
本發(fā)明公開了一種基于電感儲(chǔ)能的共用數(shù)據(jù)引線彩色Micro?LED器件驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu) ， 包括：原色像素電路、行掃描引線、列數(shù)據(jù)引線、P型溝道薄膜晶體管開關(guān)以及N型溝道薄膜晶體管開關(guān)；原色像素電路包括兩個(gè)相互并聯(lián)且電極相反的原色微發(fā)光二極管 ， 兩個(gè)原色微發(fā)光二極管各自串聯(lián)一個(gè)儲(chǔ)能電感 ， 原色像素電路與P型溝道薄膜晶體管的漏極相連接 ， 原色像素電路的相對(duì)側(cè)分別接地和連接N型溝道薄膜晶體管開關(guān)的漏極；P型溝道薄膜晶體管開關(guān)的柵極與行掃描引線相連接 ， P型溝道薄膜晶體管開關(guān)的源極與列數(shù)據(jù)引線相連接；N型溝道薄膜晶體管開關(guān)的源極和柵極均連接至行掃描引線 。 本發(fā)明在保證發(fā)光成像質(zhì)量的同時(shí) ， 簡化驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu) 。
華中科技大學(xué)：一種光子晶體增強(qiáng)出光的深紫外micro-LED芯片及其制備方法 ， 提高深紫外芯片的外量子效率
華中科技大學(xué)申請一項(xiàng)名為“一種光子晶體增強(qiáng)出光的深紫外micro-LED芯片及其制備方法”的發(fā)明專利 ， 申請公布號(hào)為CN119069586A ， 申請公布日為2024月12月3日 ， 發(fā)明人為魏御繁、陳楨宇、戴江南 。
本發(fā)明涉及光子晶體增強(qiáng)出光的深紫外micro?LED芯片及其制備方法 ， 屬于發(fā)光電子技術(shù)領(lǐng)域 。 本發(fā)明在MESA臺(tái)面周圍暴露的n?AlGaN外延層利用納米球刻蝕技術(shù)制備出周期性光子晶體結(jié)構(gòu) ， 從而實(shí)現(xiàn)深紫外micro?LED光提取的提高 。 本發(fā)明提出通過在暴露的n?AlGaN層引入周期與有源層發(fā)射波長相當(dāng)?shù)墓庾泳w結(jié)構(gòu) ， 通過光柵衍射效應(yīng)增加了光的散射路徑 ， 提高了深紫外micro?LED的光提取效率；同時(shí)選擇對(duì)紫外光具有較高反射率的Al基金屬膜作為N電極連接金屬 ， 不僅可以連接不同臺(tái)面周圍的N電極以形成完整回路 ， 又可反射紫外光至襯底一側(cè) ， 進(jìn)一步提高了芯片的光提取效率 ， 最終提高了整個(gè)深紫外芯片的外量子效率 。
武漢大學(xué)：一種基于空腔圖形化襯底的Micro-LED芯片制備方法 ， 提升芯片的光電性能
武漢大學(xué)申請一項(xiàng)名為“ 一種基于空腔圖形化襯底的Micro-LED芯片制備方法”的發(fā)明專利 ， 申請公布號(hào)為CN119050209A ， 申請公布日為2024月12月13日 ， 發(fā)明人為周圣軍、廖喆夫、蔣晶晶 。
本發(fā)明公開了一種基于空腔圖形化襯底的Micro?LED芯片制備方法 ， 包括：1)提供外延片 ， 所述包括襯底和外延層 ， 所述外延層包括AlN緩沖層、n?GaN層、有源區(qū)層、p?AlGaN電子阻擋層和p?GaN層；2)在所述p?GaN層表面沉積一層SiO2保護(hù)層；3)利用納秒脈沖激光對(duì)所述外延層進(jìn)行掃描刻蝕 ， 形成溝槽；4)利用熱化學(xué)腐蝕對(duì)所述溝槽進(jìn)行腐蝕 ， 在所述襯底與所述AlN緩沖層界面靠近所述溝槽區(qū)域形成空腔微結(jié)構(gòu)；5)去除步驟2)中所述SiO2保護(hù)層 ， 引入ITO層 ， 并對(duì)所述ITO層進(jìn)行刻蝕以形成圖形化ITO層；6)在所述圖形化ITO層上沉積一層SiO2鈍化層 ， 在所述SiO2鈍化層蒸鍍p電極和n電極 ， 形成所述Micro?LED芯片 。 該方法制備的Micro?LED芯片的正面光輸出功率 ， 提升了芯片的光電性能 。
閩都創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)室：一種全彩多功能Micro-LED顯示裝置及制備方法、光源器件 ， 實(shí)現(xiàn)高分辨、高色域、高對(duì)比度、低能耗
閩都創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)室申請一項(xiàng)名為“ 一種全彩多功能Micro-LED顯示裝置及制備方法、光源器件”的發(fā)明專利 ， 申請公布號(hào)為CN119050242A ， 申請公布日為2024月11月29日 ， 發(fā)明人為關(guān)天用、李陽 。
本發(fā)明公開了一種全彩多功能Micro?LED顯示裝置及制備方法、光源器件 ， 該裝置通過噴墨打印技術(shù)集成了紅、綠、近紅外量子點(diǎn)像素陣列 ， 不僅實(shí)現(xiàn)了高分辨、高色域、高對(duì)比度、低能耗的顯示效果 ， 而且還具備了面部識(shí)別和多參數(shù)生理監(jiān)測的附加功能 。 所述的裝置以藍(lán)光Micro?LED芯片作為激發(fā)光源 ， 通過噴墨打印方式在芯片上形成紅、綠、近紅外像素陣列 ， 實(shí)現(xiàn)全彩顯示的同時(shí) ， 利用近紅外量子點(diǎn)較高的組織穿透能力 ， 裝置可以進(jìn)行面部特征的非接觸式識(shí)別和多種生理參數(shù)的檢測 。 該裝置在智能顯示、安全監(jiān)控和健康監(jiān)測等領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用前景 。
中科院納米研究所：Micro-LED芯片及其制備方法與應(yīng)用 ， 提高芯片的生產(chǎn)效率和良品率
中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所申請一項(xiàng)名為“ Micro-LED芯片及其制備方法與應(yīng)用”的發(fā)明專利 ， 申請公布號(hào)為CN119008821A ， 申請公布日為2024月11月21日 ， 發(fā)明人為張曉東、查強(qiáng)、夏先海、曾中明、張寶順 。
【兆馳、乾照光電、思坦科技、羅化芯、中科院等公布18項(xiàng)Micro LED專利】本發(fā)明公開了一種Micro?LED芯片及其制備方法與應(yīng)用 。 該Micro?LED芯片包括LED芯片結(jié)構(gòu)和第一超表面導(dǎo)電結(jié)構(gòu)層 ， 該第一超表面導(dǎo)電結(jié)構(gòu)層包括：電性結(jié)合于LED芯片結(jié)構(gòu)的出光面上的第一導(dǎo)電層；以及 ， 與第一導(dǎo)電層層疊設(shè)置和/或一體設(shè)置的超表面結(jié)構(gòu)；該超表面結(jié)構(gòu)至少用于對(duì)從該出光面射出的光的出射角度或波長進(jìn)行調(diào)控 。 基于本發(fā)明的技術(shù)方案 ， 可以實(shí)現(xiàn)Micro?LED芯片的全彩化 ， 增加出光率和準(zhǔn)直性 ， 并可以采用大規(guī)模標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體工藝制程實(shí)現(xiàn)Micro?LED芯片的制備和Micro?LED像素與顯示單元的一體化 ， 提高M(jìn)icro?LED芯片的生產(chǎn)效率和良品率、降低成本 。
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