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近日 ， 根據2025 IEEE國際固態電路會議議程透露的信息 ， 三星正開發其第十代V-NAND技術 ， 突破了400層的技術瓶頸 ， 三星目前的第九代3D NAND技術已達到286層 。
400層以上的新技術細節
存儲密度：新一代NAND芯片的密度為28 Gb/mm2 ， 采用TLC架構 。
速度提升：第九代V-NAND支持3.2 Gbps的數據傳輸速度 ， 而第十代400層以上技術可支持每針腳5.6 Gbps的速度 ， 提升幅度高達75% ， 能夠適配PCIe 5和更快的PCIe 6接口 。
創新工藝：新技術采用“WF-Bonding”（晶圓對晶圓鍵合）工藝 ， 這種工藝將兩個已經完成單元或電路制造的NAND晶圓結合 ， 優化了芯片的擴展性、性能和產量 。
當前 ， 市場中已量產的最高層數為SK hynix的321層 ， 緊隨其后的是三星的286層以及美光的276層 。 而西部數據和鎧俠的BiCS技術則量產了218層芯片 ， 同時也在開發300層以上的BiCS 9代技術 。 長江存儲正在開發300層的NAND芯片 。
更多層的NAND技術意味著存儲密度的進一步提升 。 目前 ， Solidigm則使用192層技術生產QLC芯片 ， 并基于這些芯片推出了高達122 TB容量的SSD——Solidigm D5-P5336 。
【三星第十代3D NAND將突破400層，速度提升75%】三星目前基于第七代V-NAND（176層）的BM1743 SSD已實現61.44 TB容量 。 隨著第九代286層和第十代400層以上技術的應用 ， 更高容量的存儲設備（如256 TB甚至512 TB的SSD）將成為可能 。
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