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2026年HBM市場的關鍵：HBM4

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2026年HBM市場的關鍵：HBM4

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2026年HBM市場的關鍵：HBM4

本文由半導體產業縱橫（ID：ICVIEWS）綜合
到2025年 ， HBM單位存儲容量的價格將上漲21% 。

全球規模最大的半導體存儲器和存儲技術盛會——未來存儲大會（FMS）于2025年8月5日至7日（美國時間）在美國加利福尼亞州圣克拉拉舉行 。 FMS內容包括主題演講、專題講座、展覽等 。 近日 ， FMS官方網站已發布了主題演講視頻和全體會議報告的幻燈片 。 本文將提供市場研究公司TrendForce分析師Ellie Wang的演講概要 。
Ellie Wang的演講題目是“人工智能增長將如何推動2025年后的人腦模型需求：塑造產品演進和動態” 。 Wang將人腦模型市場分為三個方面進行解釋：“供應趨勢”、“需求趨勢”以及“平均售價（ASP）和收入趨勢” 。
SK海力士計劃在2026年前大幅提升HBM產能首先 ， 來看一下供應趨勢 。 構成 HBM 的硅芯片具有一種稱為硅通孔 (TSV) 的特性 。 除 HBM 之外的其他 DRAM 硅芯片 ， 例如 DDR 系統 ， 則沒有 TSV 。 因此 ， TrendForce 將帶有 TSV 工藝的晶圓的加工能力（月產量）視為 HBM 的產能 。
預計到2025年底 ， 三大DRAM廠商的DRAM晶圓加工能力（月產量）分別為：三星電子65.5萬片 ， SK海力士54.5萬片 ， 美光科技34萬片 。 其中 ， 采用TSV工藝（HBM）的晶圓加工能力（月產量）預計分別為：三星15萬片 ， 占DRAM總產量的23%；SK海力士15萬片 ， 占28%；美光5.5萬片 ， 占16% 。

主要DRAM供應商的DRAM晶圓加工能力（月產量 ， 單位：千片）和TSV工藝晶圓加工能力（月產量 ， 單位：千片） 。 所有數據截至年底 。 來源：2025年FMS會議論文集 ， TrendForce
預計到2026年底 ， 三大DRAM廠商的DRAM晶圓加工能力（月產量）分別為：三星67萬片 ， 同比增長1.5萬片；SK海力士 60萬片 ， 同比增長5.5萬片；美光36萬片 ， 同比增長2萬片 。 其中 ， SK海力士的產能增長尤為顯著 。
預計到2026年底 ， 三星的TSV工藝（HBM）晶圓加工能力（月產量）將與去年持平 ， 為15萬片；SK海力士的產能將同比增長5萬片 ， 達到20萬片；美光的產能將同比增長4.5萬片 ， 達到10萬片 。 盡管SK海力士和美光都在積極擴張產能 ， 但三星的擴張步伐卻顯得較為謹慎 ， 這一點值得關注 。
仔細分析可知 ， SK海力士DRAM產能增幅的90%以上將用于HBM 。 美光HBM產能增幅（4.5萬片晶圓）甚至超過了其DRAM整體產能增幅（2萬片晶圓） ， 這造成了一種“不尋?！钡木置?。 這表明該公司正在調整生產線配置 ， 優先生產HBM 。
當前 ， 面向高端大規模算力場景的GPU（即標準 AI 處理器） ， 普遍采用HBM 模塊與主芯片共封裝技術路線；其產品形態以 “GPU 芯片 + HBM 內存模塊” 集成方案對外交付 。 HBM的核心應用群體 ， 聚焦于GPU廠商及 AI 處理器（模塊）廠商兩大陣營 。
DRAM行業共識顯示 ， HBM的核心需求方為NVIDIA與AMD兩大GPU廠商 ， 其中NVIDIA是商用數據中心AI加速芯片的領先供應商 ， AMD亦為HBM的主要采購方 。 演講者展示了兩家企業數據中心級AI加速芯片及其配套HBM規格的公開季度路線圖 ， 涵蓋DRAM堆疊層數、單模塊容量、芯片搭載模塊數量及總內存容量等關鍵指標 。
2024年上半年 ， NVIDIA數據中心AI加速芯片的HBM總容量區間將達 80GB—144GB ， 標配HBM3E 世代模塊 ， 單模塊容量為16GB 或24GB ， 均基于 8 層DRAM芯片堆疊工藝實現 。 到 2025 年下半年 ， HBM3E 世代將推出 36GB 規格的升級模塊 ， 采用8層 ×4.5GB DRAM 裸片的工藝方案；搭載該模塊的 AI 加速芯片總內存容量上限將達 288GB ， 較 2024 年上半年的 144GB 上限實現翻倍 。
2026年 ， 搭載 HBM4 世代模塊的 AI 加速芯片將正式量產出貨 。 相較于 HBM3E ， HBM4 的 DRAM 堆疊層數仍為 8 層 ， 單模塊容量升級至 48GB（8 層 ×6GB 裸片） ， 同時數據傳輸速率較 HBM3E 提升超 50% ， 成為新一代 AI 芯片的核心性能增量點 。

NVIDIA 和 AMD AI 芯片及 HBM 規格路線圖（2024 年第一季度至 2026 年第四季度） 。 來源：2025 年 FMS 會議論文集 ， TrendForce
2024年上半年 ， AMD AI芯片搭載的HBM內存方案為：128GB（HBM2E ， 16GB 單模塊 ×8 層堆疊）與192GB（HBM3 ， 24GB 單模塊 ×8 層堆疊）；2024年下半年單卡升級為288GB HBM3E（36GB 單模塊 ×8 層堆疊） 。 2025年延續288GB HBM3E配置 ， 進一步優化帶寬至8TB/s 。 2026年將升級為432GB HBM4（單模塊容量提升 ， 配合12 層堆疊） ， 內存帶寬達19.6TB/s ， 滿足大規模AI訓練與分布式推理需求 。
到2025年 ， HBM單位存儲容量的價格將上漲21%平均售價（ASP）是指HBM模塊每千兆比特的價格 。 HBM價格談判每年進行一次 。 2022年的平均售價為1.40美元 ， 2023年略微下降至1.38美元 ， 2024年回升至1.49美元 。 該年的價格上漲歸因于HBM3E一代產品出貨率的提高 。

平均售價 (ASP) 趨勢 (2022-2025) 。 來源：2025 年 FMS 會議論文集 ， TrendForce
預計到2025年 ， 平均售價將大幅上漲至1.80美元 。 隨著12 層HBM3E芯片開始量產 ， 該芯片的比例將進一步增加 ， 從而推高價格 。
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