央視確認國產量子芯片量產,性能提升千倍,光刻機不再是障礙

央視確認國產量子芯片量產,性能提升千倍,光刻機不再是障礙

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【央視確認國產量子芯片量產,性能提升千倍,光刻機不再是障礙】央視確認國產量子芯片量產,性能提升千倍,光刻機不再是障礙

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央視新聞通過直播鏡頭 , 向全球展示中國的量子芯片生產線 , 該生產線至今已生產出超過1500批次的流片 , 這意味著國產量子芯片離全面商用又近了一步 。

據報道指出國產量子芯片研發時間長達6年 , 與世界研發量子芯片基本同步 , 目前中國已成功研制的量子芯片為全球集成規模最大、集成元件最多的量子芯片 , 可實現2500個量子比特的性能 。
這顆全球最先進的量子芯片已搭載于第三代超導量子計算機“本源悟空”之上 , 擁有72個超導量子比特的計算性能 , 已居于全球前列 。
量子芯片的優勢在于可以用當前的DUV光刻機生產 , 性能卻可以比硅基芯片提升千倍 , 而功耗卻只有硅基芯片的千分之一 , 如此可以徹底顛覆現有的硅基芯片技術 , 改變全球芯片市場的格局 。
國產量子芯片的推進對于中國芯片的發展具有重大意義 , 由于眾所周知的原因 , 中國芯片的生產如今受制于由歐美控制的EUV光刻機 , 難以量產5納米及更先進的工藝 , 而量子芯片無需先進的EUV光刻機 , 如此國產芯片將擺脫光刻膠的桎梏 。

量子芯片、光子芯片等已被視為替代硅基芯片的先進芯片技術 , 為此中國、美國都在積極推進這些先進芯片技術的發展 , 而中國在量子芯片技術方面的突破 , 代表著中國芯片將真正實現彎道超車 。
中國在先進芯片技術方面的研發是諸多方面同時推進 , 在第三代、第四代芯片材料方面已有所突破 , 這些先進芯片材料對于中國芯片的發展具有極為重要的意義 。
對于量子芯片來說 , 超導低溫材料就非常關鍵 , 而國產超導低溫材料的研發成功 , 為國產量子芯片的商用化提供了有力的支持 。
本源量子還充分考慮了芯片產業鏈自主研發的重要性 , 從量子冰箱、量子芯片光刻機等都實現了國產化 , 這些都已無需依賴進口設備 , 真正實現完全自主 。

現有的硅基芯片技術已逐漸接近瓶頸 , 全球技術實力最強的臺積電量產3納米就面臨良率已難以達到九成的水平 , 第一代3納米工藝只能達到55% , 第二代3納米也無法達到九成的良率 , 更先進的2納米能否如期量產面臨變數 。
硅基芯片依靠現有的技術途徑還面臨著成本越來越高的困境 , 光刻機企業ASML的2納米EUV光刻機售價高達3.8億美元 , 是第一代EUV光刻機的3倍 , 更是7納米及以上工藝的DUV光刻機的8倍以上 , 昂貴的成本導致這些先進芯片工藝難以普及 。
這也促使擁有先進芯片技術的美國推進研發量子芯片、光子芯片等技術 , 而中國先行一步 , 將代表著中國可望在這些先進芯片技術上居于全球領先地位 , 不僅擺脫歐美硅基芯片技術的限制 , 還真正實現彎道超車 。

事實說明了擁有最多技術人才的中國在芯片技術創新方面誤會受制于西方 , 相反在西方的刺激下 , 中國多種技術推進 , 總會找到突破的方向 , 形成自己的技術路徑 , 建立完全自主化的芯片產業鏈 , 到那時候西方再也無法依靠他們掌控的芯片技術阻礙中國芯片的趕超 。

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