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存儲大廠SK海力士展示下一代NAND閃存產品戰略

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存儲大廠SK海力士展示下一代NAND閃存產品戰略
· 亮相針對性能（P）、帶寬（B）、容量（D）分別優化的“AIN Family”存儲產品系列 ， 全面賦能AI場景
· 舉辦“HBF之夜”活動 ， 拓展SK海力士HBF產品‘AIN B’生態系統 ， 數十位科技巨頭代表出席
· “將通過繼續與客戶及各類合作伙伴攜手合作 ， 致力成為面向AI存儲器市場的核心引領者”
2025年10月27日 ， SK海力士宣布 ， 于當地時間13日至16日在美國加利福尼亞州圣何塞舉辦的“2025 OCP全球峰會”（以下簡稱“峰會”）上 ， 展示了下一代NAND閃存產品戰略 。

公司表示：“隨著人工智能推理市場的快速發展 ， 業界對能夠迅速、高效處理海量數據的NAND閃存產品的需求正大幅攀升 。 為此 ， 公司將建立‘AIN（AI-NAND）Family’產品組合 ， 以專為人工智能時代進行優化的解決方案產品 ， 全面滿足客戶的多樣化需求 。 ”
在峰會第二天舉行的高管會議上 ， SK海力士企業級固態硬盤（eSSD）產品開發擔當金千成副社長作為演講嘉賓 ， 介紹了AIN Family產品組合 。
AIN Family在性能（Performance）、帶寬（Bandwidth）、容量（Density）三方面分別優化的NAND閃存解決方案產品 ， 旨在提升數據處理速度 ， 并實現存儲容量最大化 。
AIN P（Performance）是一款專為大規模AI推理環境中海量數據的輸入與輸出而打造的高效解決方案 。 該方案通過最小化AI運算與存儲之間的瓶頸 ， 顯著提升了處理速度與能效 。 為此 ， 公司正在以全新架構重新設計NAND閃存與控制器 ， 并計劃于2026年底推出樣品 。
與之相反 ， AIN D（Density）則是一款旨在以低功耗、低成本實現海量數據存儲的高容量解決方案 ， 特別適用于AI數據的存儲 。 相較于現有基于QLC*的TB（太字節）級的SSD ， AIN D可將存儲容量提升至最高PB（拍字節）級 ， 同時兼顧SSD的高速性能與HDD的經濟性 ， 成為一種中間層存儲產品 。
最后 ， AIN B（Bandwidth）是一款通過堆疊NAND閃存以擴大帶寬的解決方案產品 。 該產品采用了公司名為‘HBF*’的技術 。
擁有全球頂尖HBM研發與生產實力的SK海力士 ， 為應對AI推理規模擴大、大型語言模型（LLM*）發展導致的存儲容量不足問題 ， 很早便啟動了AIN B的研發工作 。 其核心在于將高容量、低成本的NAND閃存與HBM堆疊結構相結合 。 目前 ， 公司正積極評估多種AIN B應用方案 ， 包括將其與HBM協同配置以補充容量等多種靈活模式 。
為擴大AIN B生態系統 ， SK海力士于14日晚在OCP峰會會場附近的科技中心（The Tech Interactive）與今年8月簽署HBF標準化諒解備忘錄（MOU）的美國閃迪公司 ， 共同舉辦了“HBF之夜（HBF Night）”活動 ， 邀請全球科技巨頭公司的企業代表出席 。
該活動以專題討論會的形式進行 ， 吸引了來自韓國及海外的多位教授參與 ， 并匯聚了數十位業界重要架構師*和技術人員 。 在當日的活動中 ， SK海力士提出了一項旨在加速NAND閃存產品創新的業界合作倡議 。
SK海力士開發總管（CDO Chief Development Officer）安炫社長表示：“本次OCP全球峰會和HBF之夜活動 ， 充分展現了SK海力士作為‘全球面向AI的存儲器解決方案供應商（AI Memory Solution Provider）’在以AI為主導的快速變革浪潮中所取得的成就與未來愿景 。 ”他同時強調：“公司將通過繼續與客戶及各類合作伙伴攜手合作 ， 致力成為下一代NAND閃存領域中面向AI存儲器市場的核心引領者 。 ”
* NAND閃存芯片根據每個單元（Cell）可以存儲的信息量（比特bit） ， 分為SLC（Single level Cell1位）、MLC（Multi Level Cell2位）、TLC（Triple Level Cell3位）、QLC（Quadruple Level Cell4位）、PLC（Penta Level Cell5位）等不同規格 。
* HBF（高帶寬閃存 ， High Bandwidth Flash）：與堆疊DRAM芯片的HBM（高帶寬存儲器）相同 ， 通過堆疊NAND閃存而制成的產品
* LLM（大型語言模型 ， Large Language Model）：通過學習海量數據 ， 了解并產生自然語言的人工智能模型
【存儲大廠SK海力士展示下一代NAND閃存產品戰略】* 架構師（Architect）：半導體、軟件系統的設計專家

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