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10月25日，韓國媒體《首爾經(jīng)濟日報》發(fā)表文章稱，在全球半導體市場，中國的崛起正在成為現(xiàn)實。這是因為中國半導體公司正在通過以技術差距很小的通用存儲器為中心的數(shù)量攻勢來增加市場份額。有人擔心，如果將業(yè)績穩(wěn)定的通用市場輸給中國，韓國尖端半導體開發(fā)的競爭力可能會崩潰。

近日，市場研究公司Trend Force表示，今年第三季度中國內存企業(yè)在DRAM市場的份額僅為6.0% ，但一年后的明年第三季度預計將突破10% ，達到10.1% 。
這一飛躍是由中國第一大內存公司長鑫存儲引領的。摩根士丹利在最近的一份報告中分析稱，今年長鑫存儲的DRAM產(chǎn)量將超過全球產(chǎn)量的10% 。認為份額擴張速度將快于Trendforce的預期。
【韓媒：中國DRAM也崛起了，明年全球份額將突破10%！】長鑫存儲的主要產(chǎn)品是傳統(tǒng)內存，例如DDR4和LPDDR4X（一種低功耗DRAM）。與生產(chǎn)DDR5或LPDDR5X的三星電子和SK海力士相比，他們的技術落后了三代以上。
然而，他們依靠巨大的內需市場和政府的扶持，打破了內存市場的規(guī)律。傳統(tǒng)芯片通常利潤率較低，因此一旦在尖端芯片競爭中落后，往往無法生存。這也是三星電子30多年來在DRAM市場保持超級差距并保持第一的秘訣。然而，隨著現(xiàn)有內存規(guī)則的打破和供應的增加，傳統(tǒng)芯片的價格正在直線下降。
技術水平也在逐步提高。據(jù)悉，長鑫存儲最近生產(chǎn)了第二代高帶寬存儲器（HBM）并交付給客戶。與韓國仍有技術差距，但這是可以占領中國內部人工智能（AI）芯片市場的產(chǎn)品。韓國嘉泉大學教授Kim Yong-seok表示， “我認為，相對容易追趕的NAND閃存領域已經(jīng)趕上了技術水平。作為HBM等的根本競爭力的DRAM市場，韓國需要各種支援對策，以保持技術差距。 ”

韓媒：中國DRAM也崛起了，明年全球份額將突破10%！

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