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國光光刻機(jī)，離浸潤式DUV，僅一步之遙了

芯片光刻機(jī)

國光光刻機(jī)，離浸潤式DUV，僅一步之遙了

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國光光刻機(jī)，離浸潤式DUV，僅一步之遙了

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國光光刻機(jī)，離浸潤式DUV，僅一步之遙了

毫不客氣的說 ， 目前在所有的芯片制造設(shè)備中 ， 光刻機(jī)是最重要的設(shè)備 ， 沒有之一 。 同時(shí)也是中國最被卡脖子的設(shè)備 ， 沒有之一 。
為何這么說 ， 因?yàn)槟壳叭蚬饪虣C(jī)廠商 ， 僅4家企業(yè)能制造 ， 且被ASML壟斷 ， 特別是EUV、浸潤式DUV這些高端光刻機(jī) ， 完全是ASML說了算 。

當(dāng)然 ， 光刻機(jī)的技術(shù) ， 也是不斷演進(jìn)的 ， 并且是和工藝對(duì)應(yīng)的 。
如下圖所示 ， 這是目前光刻機(jī)的發(fā)展趨勢(shì) ， 和相對(duì)應(yīng)的代數(shù) ， 第一代是G線 ， 第二代是I線 ， 再是KrF、ArF、ArFi、EUV這么6代 。
第一代光刻機(jī) ， 對(duì)應(yīng)著不同的芯片制造工藝 ， 比如EUV光刻機(jī) ， 用于7nm芯片以下 ， 浸潤式DUV ， 最高能到7nm……

那到問題就來了 ， 國產(chǎn)光刻機(jī) ， 達(dá)到了什么水平？
上海微電子的光刻機(jī) ， 在其官網(wǎng)上是有公開的 ， 之前公開的是一臺(tái)分辨率為90nm的光刻機(jī) ， 屬于ArF ， 也就是第四代 ， 采用193nnm波長的光源 ， 干式DUV光刻機(jī) 。
而前段時(shí)間 ， 國家權(quán)威機(jī)構(gòu) ， 又公布了另外一臺(tái)國產(chǎn)光刻機(jī) ， 分辨率是65nm ， 套刻精度是8nm ， 這個(gè)還是一臺(tái)ArF光刻機(jī) ， 也是干式DUV光刻機(jī) 。

從這臺(tái)光刻機(jī) ， 我們可以判斷出 ， 其實(shí)國產(chǎn)光刻機(jī) ， 雖然還是落后ASML10多年 ， 但是離浸潤式DUV光刻機(jī) ， 其實(shí)只差最后一步了 。
從上面的技術(shù)演進(jìn)圖其實(shí)也可以看到 ， ArF最高能夠支持到65nm工藝 ， 而這臺(tái)國產(chǎn)光刻機(jī) ， 分辨率就是65nm ， 很明顯就是貼近極限值的 。
【國光光刻機(jī)，離浸潤式DUV，僅一步之遙了】另外 ， 浸潤式DUV和干式DUV ， 其中最大的區(qū)別 ， 就是在晶圓前面 ， 加了一層介質(zhì)水 。

干式DUV采用的是空氣作為光線傳播的介質(zhì) ， 浸潤式DUV采用的是水來做光線傳播的介質(zhì) ， 而光線在水中產(chǎn)生折射 ， 193nm波長的光源 ， 折射后等效成13nm了 ， 波長更短 ， 于是分辨率更高了 。
所以干式DUV（ArF）和浸潤式DUV（ArFi）的區(qū)別 ， 只是在工作臺(tái)上面 ， 加了一層浸潤式系統(tǒng) ， 也就是一層水 ， 其它的是共用的 ， 而浸潤式系統(tǒng)的技術(shù)難度 ， 并不是特別高 。
所以這臺(tái)國產(chǎn)65nm的光刻機(jī) ， 其實(shí)已經(jīng)是干式DUV的極限了 ， 也是ArFi（浸潤式DUV光刻機(jī)）之前的最后一臺(tái) ， 接下來只要攻克了浸潤式系統(tǒng) ， 就進(jìn)入了浸潤式光刻機(jī) 。

所以說 ， 接下來 ， 不出意外的話 ， 國產(chǎn)光刻機(jī) ， 將很快跨進(jìn)浸潤式階段 ， 一旦進(jìn)入浸潤式光刻機(jī) ， 那么利用它 ， 可以實(shí)現(xiàn)7nm芯片的全部自給 ， 對(duì)外依賴程度將大大降低 。
到時(shí)候不管是ASML ， 還是美國 ， 想要卡我們芯片產(chǎn)業(yè)的脖子 ， 也就越來越難了 ， 因?yàn)榻櫴焦饪虣C(jī) ， 如果發(fā)揮出極限 ， 不僅僅是7nm芯片制造 ， 5nm也是有可能的 。

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