重啟2還會解鎖新地圖——天麟樓和雷城 。在重啟2中，為了找到三叔，吳邪胖子前往天麟樓和雷城，營救被困于天麟樓的張起靈和二叔等人，隨后眾人一起開啟了新一輪的冒險 。三叔的蹤跡、雷城的秘密以及大家最關心的吳邪的肺病也將在重啟2里得到解答 。反派的人物動機線也在重啟2中也將會更加的豐富飽滿 。
在第一季的最后，吳邪升級到十一倉的14級，也能接觸很多關于十一倉的機密問題 。但到了14級并不代表故事的結束，反而是新的開始 。吳邪一直追尋的三叔的下落，三叔當年做了什么，還有十一倉背后的故事等等，也將在第二季找到答案，只是，按照南派三叔一貫的風格，一次性得到答案那是不可能的 。
第二季還會有新人物的加入，那就是楊迪飾演的紅頂水仙 。人物介紹是：燈紅酒綠，意外迭起，人生軌跡就此錯亂，選擇面前兩難全 。紅頂水仙應該是個亦邪亦正的角色，在第二季的預告中他看起來像反派，但相信在之后會給觀眾帶來大反轉 。
7，重裝機兵2重制版所有LOVE部件,要中文的LOVE的插件4個字母LOVE每個都有3種,也就是L1到L3,O1到O3,V1到V3,E1到E3共12個...每種只要拿到1個就可以了 。地點：
上圖紅色圓圈內就是，從初使鎮(zhèn)子瑪多出發(fā)，向厄爾尼諾方向前進 在厄爾尼諾想做行，過橋向左下沿河行進
LOVE的插件4個字母LOVE每個都有3種,也就是L1到L3,O1到O3,V1到V3,E1到E3共12個...每種只要拿到1個就OK了..找第一個村子小男孩(小舅子....)給他錢可以隨機得到各種回報物,12種芯片全部都可能給,不過我實測是給E3和V3很少.......此外據說死亡十字左邊拿12號車外面可以隨機探測到.........職員宿舍第二個屋子里有L1芯片（在核熔的地下也可以找到L1芯片）死亡十字下水道，那里面有L2的芯片死亡十字解放后，可以在這里買到L3芯片O1芯片 水之旁道木箱在巴斯扎卡，購入O2芯片O3芯片 惡魔島木箱 我記得在一個臨近傳送帶的房間，在黑暗水路有路障擋著的地方，下面的一條戰(zhàn)車可以走下去的通路，里面有一些寶物，特別是V1芯片V2 天鵝鎮(zhèn)道具店德爾塔·利奧 工具店二樓的V3芯片E1 自動售貨機B獎品（馬多戰(zhàn)車大廳右邊）E2 人類村 道具店E3芯片 惡魔島木箱 在有遮陽傘的那一層至于12種芯片的組合.在愛之家那里都可以看到啊.不像前作的量子人偶激光炮神馬的要自己試...MM2R直接把各種組合的可能性都列出一個表單來有什么效果,完全不用攻略吧.
8，DDR2是什么啊？沙發(fā)~~~~DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（電子設備工程聯(lián)合委員會）進行開發(fā)的新生代內存技術標準，它與上一代DDR內存技術標準最大的不同就是，雖然同是采用了在時鐘的上升/下降延同時進行數據傳輸的基本方式，但DDR2內存卻擁有兩倍于上一代DDR內存預讀取能力（即：4bit數據讀預?。?。換句話說，DDR2內存每個時鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫數據，并且能夠以內部控制總線4倍的速度運行 。此外，由于DDR2標準規(guī)定所有DDR2內存均采用FBGA封裝形式，而不同于目前廣泛應用的TSOP/TSOP-II封裝形式，F(xiàn)BGA封裝可以提供了更為良好的電氣性能與散熱性，為DDR2內存的穩(wěn)定工作與未來頻率的發(fā)展提供了堅實的基礎 ?；叵肫餌DR的發(fā)展歷程，從第一代應用到個人電腦的DDR200經過DDR266、DDR333到今天的雙通道DDR400技術，第一代DDR的發(fā)展也走到了技術的極限，已經很難通過常規(guī)辦法提高內存的工作速度；隨著Intel最新處理器技術的發(fā)展，前端總線對內存帶寬的要求是越來越高，擁有更高更穩(wěn)定運行頻率的DDR2內存將是大勢所趨 。DDR2與DDR的區(qū)別：1、延遲問題：從上表可以看出，在同等核心頻率下，DDR2的實際工作頻率是DDR的兩倍 。這得益于DDR2內存擁有兩倍于標準DDR內存的4BIT預讀取能力 。換句話說，雖然DDR2和DDR一樣，都采用了在時鐘的上升延和下降延同時進行數據傳輸的基本方式，但DDR2擁有兩倍于DDR的預讀取系統(tǒng)命令數據的能力 。也就是說，在同樣100MHz的工作頻率下，DDR的實際頻率為200MHz，而DDR2則可以達到400MHz 。這樣也就出現(xiàn)了另一個問題：在同等工作頻率的DDR和DDR2內存中，后者的內存延時要慢于前者 。舉例來說，DDR 200和DDR2-400具有相同的延遲，而后者具有高一倍的帶寬 。實際上，DDR2-400和DDR 400具有相同的帶寬，它們都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作頻率是200MHz，而DDR2-400的核心工作頻率是100MHz，也就是說DDR2-400的延遲要高于DDR400 。2、封裝和發(fā)熱量：DDR2內存技術最大的突破點其實不在于用戶們所認為的兩倍于DDR的傳輸能力，而是在采用更低發(fā)熱量、更低功耗的情況下，DDR2可以獲得更快的頻率提升，突破標準DDR的400MHZ限制 。DDR內存通常采用TSOP芯片封裝形式，這種封裝形式可以很好的工作在200MHz上，當頻率更高時，它過長的管腳就會產生很高的阻抗和寄生電容，這會影響它的穩(wěn)定性和頻率提升的難度 。這也就是DDR的核心頻率很難突破275MHZ的原因 。而DDR2內存均采用FBGA封裝形式 。不同于目前廣泛應用的TSOP封裝形式，F(xiàn)BGA封裝提供了更好的電氣性能與散熱性，為DDR2內存的穩(wěn)定工作與未來頻率的發(fā)展提供了良好的保障 。DDR2內存采用1.8V電壓，相對于DDR標準的2.5V，降低了不少，從而提供了明顯的更小的功耗與更小的發(fā)熱量，這一點的變化是意義重大的 。
