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三星g9398,57股獲北向資金加倉超5000萬元

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一般來說加工工藝越精密,功耗是會降低的 。近日,三星在于加州圣克拉拉舉行的三星鑄造論壇(Samsung Foundry Forum)上宣布,將于2021年向市場推出一項(xiàng)突破性的處理器技術(shù),對最基本的電子元件進(jìn)行根本性改造,即將芯片制程提升到3nm,并用GAA(Gate-all-around 環(huán)繞柵極)工藝取代FinFET工藝,以增強(qiáng)晶體管性能,這樣芯片面積減少45%,性能將提高35%,同時使能耗降低50% 。
所謂GAA,亦稱作橫向納米線場效應(yīng)管,是一個周邊環(huán)繞著gate的FinFET,GAA 晶體管能夠提供比 FinFet 更好的靜電特性,可滿足某些柵極寬度的需求,這主要體現(xiàn)在同等尺寸結(jié)構(gòu)下,GAA溝道控制能力增強(qiáng),因此給尺寸進(jìn)一步微縮提供了可能 。傳統(tǒng)FinFET的溝道僅三面被柵極包圍,而GAA以納米線溝道設(shè)計,溝道的整個外輪廓都被柵極完全包裹住,這就意味著柵極對溝道的控制性能就更好 。
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