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臺積電加速1.4nm先進工藝，新廠10月動工

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臺積電加速1.4nm先進工藝，新廠10月動工

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總投資1.2~1.5萬億新臺幣 ， 首期兩座廠房計劃2028年量產 。
據報道 ， 臺積電計劃建設1.4nm先進制程新廠 ， 預計10月動工 ， 總投資1.2~1.5萬億新臺幣 ， 首期兩座廠房計劃2028年量產 ， 后續有望推進至1nm 。
目前已知的消息是 ， 包括營造、水泥、廠務工程等相關廠商都已陸續接獲通知 ， 臺積電中科先進制程建廠工程將在近日招標 ， 隨后發包動工 ， 相關作業正如火如荼展開 。
根據臺積電此前透露的生產據點規劃 ， 1.4nm制程主要生產據點 ， 即為原興農球場的臺中Fab 25廠 ， 擬規劃設立四座廠房 ， 首座廠預計趕在2027年底前完成風險性試產 ， 2028年下半年正式量產 ， 新廠初估營業額可望超過5000億元 。
供應鏈消息 ， 中科廠2028年量產的應該是第一期二座1.4nm制程廠房 ， 后續第二期二座廠 ， 不排除將推進至A10（1nm）制程 。 另外 ， 臺積電在1.4nm制程推進獲得重大突破 ， 稍早已通知供應商備妥1.4nm所需設備 ， 預定今年先進新竹寶山第二廠裝設試產線 。
臺積電1.4nm技術細節今年4月 ， 臺積電正式公布了全新的14A 1.4nm級工藝 ， 預計2028年上半年量產 。

【臺積電加速1.4nm先進工藝，新廠10月動工】臺積電稱 ， A14是全新升級的一代工藝節點(非過渡型) ， 對比N2 2nm級工藝 ， 同等功耗下性能可提升10-15％ ， 同等性能下功耗可降低25-30％ ， 邏輯晶體管密度提升最多約23％ ， 芯片密度提升最多約20％ 。
技術方面 ， 臺積電A14升級第二代GAAFET全環繞納米片晶體管 ， 以及新的標準單元架構NanoFlex Pro ， 后者可以在設計芯片的時候 ， 針對特定的應用或負載 ， 精細調整晶體管配置 ， 以達成更優的性能、功耗和面積(PPA) 。
NanoFlex Pro是一種設計技術協同優化（DTCO）技術 ， 讓設計人員能夠以非常靈活的方式設計產品 ， 通過微調晶體管配置 ， 以實現針對特定應用或工作負載的最佳功率、性能和面積（PPA） 。 這項技術將于2028年投入生產 ， 首個版本沒有背面供電 。
臺積電A14同時還有新的IP、優化、EDA設計軟件 ， 這些和N2P 2nm、A16 1.6nm是不兼容的 。
遺憾的是 ， 臺積電A14首發的時候沒有Super Power Rail(SPR)背部供電網絡(BSPDN) ， 這一點和自家的A16、Intel A18/A14截然不同 ， 倒是和自己的N2、N2P一樣 。 不過 ， 臺積電承諾會在2029年推出A14工藝的升級版 ， 加入背部供電 ， 性能更好 ， 但成本也會有所增加 。
臺積電2nm工藝月產能有望在年底接近5萬片晶圓近日有報道稱 ， 臺積電正加速推進其2nm制程工藝的量產進程 。 臺積電董事長兼首席執行官魏哲家 ， 在近期多個季度的財報分析師電話會議中均透露 ， 2nm制程工藝的量產計劃正按既定時間表順利推進 ， 預計將在今年下半年正式投入生產 。
與過往的7nm、5nm及3nm制程工藝類似 ， 臺積電對于2nm制程工藝的量產同樣寄予厚望 ， 并規劃了可觀的產能規模 。 臺積電的2nm制程工藝將在新竹科學園區的寶山晶圓廠以及高雄楠梓園區的晶圓廠進行量產 。 預計至今年年底 ， 這兩處生產基地的月產能將達到45000至50000片晶圓 。
臺積電2nm制程工藝的產能將在大規模量產之后進一步提升 。 據預測 ， 明年這兩個園區的2nm制程工藝月產能將超過100000片晶圓 。 這一產能的顯著提升 ， 將極大增強臺積電滿足客戶需求的能力 ， 使其能夠承接更多來自全球客戶的訂單 。
關于臺積電2nm制程工藝的客戶構成 ， 初期的客戶陣容強大 ， 包括蘋果、AMD、博通、聯發科、英特爾以及高通等知名企業 。 其中 ， 大客戶蘋果預計將占據近半數的產能份額 ， 顯示出其在半導體先進制程領域的持續投入與高度依賴 。
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