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聯(lián)華電子股份有限公司,聯(lián)電

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如何看待聯(lián)電對美光指控的官方回應？

聯(lián)華電子股份有限公司,聯(lián)電


兩周前美國商務部、司法部接連出手 ， 先是制裁中國福建晉華集團 ， 接著是起訴晉華及合作伙伴聯(lián)華電子（簡稱聯(lián)電） ， 指控二者涉嫌盜竊美光的DRAM內(nèi)存專利 ， 給美光公司造成了高達90億美元的損失 。此后聯(lián)電及晉華集團分別發(fā)表聲明 ， 否認盜竊美光商業(yè)機密 。聯(lián)電公司日前又發(fā)布了新的聲明 ， 詳細解釋了聯(lián)電在DRAM技術(shù)上的積累 ， 強調(diào)聯(lián)電已經(jīng)有超過15年的DRAM技術(shù)開發(fā)經(jīng)驗 ， 聯(lián)電開發(fā)的DRAM技術(shù)與美光公司的DRAM設(shè)計完全不同 。
此外 ， 聯(lián)電還指出美光的25nm DRAM技術(shù)并不是自己開發(fā)的 ， 而是購買了臺灣力晶及日本爾必達公司的25nm DRAM技術(shù) 。聯(lián)電本月初發(fā)布的聲明強調(diào)會嚴肅對待美方指控 ， 全力應對這場訴訟 。日前發(fā)布的第二份官方聲明則更像是一個科普 ， 因為聯(lián)電要讓不了解情況的外界明白一件事——外界存在錯誤的印象 ， 認為聯(lián)電沒有DRAM技術(shù) ， 而美光是全球知名的DRAM技術(shù)公司 ， 所以爆出專利侵權(quán)訴訟時很多人一邊倒地相信沒有DRAM技術(shù)的聯(lián)電盜竊美光技術(shù)是成立的 ， 而聯(lián)電這個聲明的目的就是向外界說明自己是有DRAM技術(shù)開發(fā)經(jīng)驗的 。
聯(lián)電公司詳細聲明如下：聯(lián)華電子是國際公認、臺灣起家的半導體公司 。38年來 ， 在全球的供應鏈上 ， 已經(jīng)成為不可或缺的一員 ， 先進量產(chǎn)技術(shù)達14奈米 。對比之下 ， 美光公司爭執(zhí)所涉及的DRAM技術(shù) ， 是32奈米 ， 在聯(lián)華電子的計畫啟動當時 ， 已經(jīng)是落后幾個世代的技術(shù) 。社會上有一個錯誤的印象 ， 認為聯(lián)華電子沒有任何DRAM的知識或經(jīng)驗 ， 這不是事實 ， 而且是極端的不實 。
【聯(lián)華電子股份有限公司,聯(lián)電】從1996年到2010年 ， 聯(lián)華電子積累了近15年制造DRAM產(chǎn)品的經(jīng)驗 。甚至在某個時間點上 ， 聯(lián)華電子內(nèi)部DRAM團隊人數(shù) ， 超過150人 。聯(lián)華電子是一個有組織的企業(yè)機構(gòu) ， 藉由堅實而穩(wěn)定的團隊 ， 掌握并保存了豐富的DRAM知識和經(jīng)驗 。舉個例子來說 ， 現(xiàn)任聯(lián)華電子共同總經(jīng)理之一的簡山杰 ， 是1996年時開發(fā)DRAM產(chǎn)品的RAM制程開發(fā)經(jīng)理 。
另一個實例則是: Alliance公司是1996年第一個獲得聯(lián)華電子公司授權(quán)合作DRAM伙伴之一 ， 該公司是一家總部位于美國的DRAM晶片設(shè)計公司 ， 藉由聯(lián)華電子的技術(shù)進行DRAM制造 。除了傳統(tǒng)的DRAM技術(shù)外 ， 2009年聯(lián)華電子更成功開發(fā)了屬于自己的嵌入式DRAM制程技術(shù) ， 這比制造標準型DRAM的過程要復雜得多 。
聯(lián)華電子同意與晉華公司聯(lián)合開發(fā)DRAM制程 ， 這是一個與聯(lián)華電子晶圓專工服務完全分開的單獨項目 ， 在做成決策當時 ， 只是一個符合所有合理商業(yè)考量的單純商業(yè)交易 ， 已經(jīng)向臺灣政府正式提出申請 ， 主管機關(guān)亦已于2016年4月核準整個項目 。值得一提的是 ， 那時還未聽說有中美貿(mào)易戰(zhàn) 。自從聯(lián)華電子開始為晉華公司開發(fā)DRAM制程技術(shù) ， 履行合約義務 ， 聯(lián)華電子已經(jīng)花費了數(shù)億新臺幣 。
盡管這個專案的研發(fā)團隊成員接近300人 ， 但只有不到10％的人曾在美光公司工作過 。相反于美光所提出民事和刑事訴訟制造的假象 ， 聯(lián)華電子的DRAM技術(shù)基礎(chǔ)里的元件設(shè)計 ， 是完全不同于美光公司的設(shè)計 。簡而言之 ， 聯(lián)華電子開發(fā)的記憶胞架構(gòu)是3x2布局的儲存單元 ， 這與美光公司的2x3布局的儲存單元是完全不同的 。另一個錯誤的印象是美光公司在美國開發(fā)了25奈米的DRAM技術(shù) 。

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