1，內存條三代和四代性能體驗上有多大差別ram00:00 / 01:1170% 快捷鍵說明 空格: 播放 / 暫停Esc: 退出全屏 ↑: 音量提高10% ↓: 音量降低10% →: 單次快進5秒 ←: 單次快退5秒按住此處可拖拽 不再出現(xiàn) 可在播放器設置中重新打開小窗播放快捷鍵說明
2，三代內存條與四代區(qū)別三代內存條和四代內存條的區(qū)別主要有三點，分別是內存條的容量變化、內存條的外觀變化和內存條的內存功耗及頻率變化 。三代內存條單根的最小容量是1G，最大單根容量是8G，四代內存條單根最小容量是4G，最大單根容量是128G 。外觀方面也是不一樣的，三代內存條金手指缺口位置在內存條正面的左邊，四代內存條缺口的位置偏中間位置 。
3，三代內存條與四代內存條究竟有何區(qū)別DDR4相比DDR3最大的區(qū)別有：1）處理器：每次內存升級換代時，必須支持的就是處理器 。Haswell-E平臺的內存同IVB-E/SNB-E一樣為四通道設計，DDR4內存頻率原生支持2133MHz，這相較IVB-E的DDR3原生1866MHz，起始頻率有不小的提升 。Haswell-E作為新的旗艦提升最大兩點一個是6核升級8核，另一點是對DDR4的支持 。上市初期整體成本相當高，并且不會同時支持DDR3和DDR4內存，所以增加了DDR4普及的門檻 。2）頻率方面，DDR3內存起始頻率為800，最高頻率達到了2133 。DDR4內存起始頻率就達到了2133，量產產品最高頻率達到了3000，從內存頻率來看，DDR4相比DDR3提升很大 。3） DDR4最重要的使命當然是提高頻率和帶寬 。DDR4內存的每個針腳都可以提供2Gbps(256MB/s)的帶寬，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866高出了超過70％ 。4）DDR4內存容量提升明顯，可達128GB：上一代DDR3內存，最大單挑容量為64GB，實際能買到的基本是16GB/32GB，而新一代DDR4內存，單條容量最大可以達到128GB，媲美SSD了 。5）DDR4在使用了3DS堆疊封裝技術后，單條內存的容量最大可以達到目前產品的8倍之多 。舉例來說，目前常見的大容量內存單條容量為8GB，而DDR4則完全可以達到64GB，甚至128GB 。而電壓方面，DDR4將會使用20nm以下的工藝來制造，電壓從DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V，移動版的SO-DIMMD DR4的電壓還會降得更低 。【三代內存和四代內存區(qū)別，三代內存條與四代區(qū)別】
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