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1，ThinkPad sl410 T4500和T6570哪個好一點明顯是T6570要好一些啊雖然4500的主頻比6570的高但是在緩存方面6570比4500多1M

2，現(xiàn)在最新版的內(nèi)存條是幾代的最新的是ddr4代ddr2的，533的內(nèi)存，不過才256m有點小啊。【最新內(nèi)存，ThinkPad sl410 T4500和T6570哪個好一點】

3，B360主板用的是DDR3的內(nèi)存還是DDR4的B360主板肯定用DDR4內(nèi)存，最好選擇DDR4 2666最新出的內(nèi)存。沒有支持DDR3內(nèi)存的B360主板，H110有D3版的。

4，現(xiàn)在最新的內(nèi)存條是DDR幾你好現(xiàn)在主流是DDR4，但是最普及的還是DDR3，比較品牌的有，閃迪，海盜船，金士頓，威剛，這幾家的都不錯。望采納，歡迎追問呵呵，這些人回答的太專業(yè)了，看防呆板卡槽，好像還是可以分辨一下5，筆記本內(nèi)存多大合適最新信息現(xiàn)在的筆記本電腦，4G是標配，也僅是滿足64位系統(tǒng)基本需要罷了，為使系統(tǒng)更流暢，建議雙4G內(nèi)存，如果是游戲發(fā)燒友，可以考慮雙8G 。升級到4g比較合適，因為單條2g的內(nèi)存條性價比較高，4g的有點小貴。另外玩游戲的時候，可以適當調(diào)整下游戲參數(shù)，對畫質(zhì)、光影效果的各種參數(shù)調(diào)低一些，這樣運行會流暢點6，最新內(nèi)存是第幾代了最新的是“P8”開頭的型號，對應(yīng)Intel的LGA1155接口的新一代處理器。只支持DDR3內(nèi)存顯存目前最新的是GDDR5（注意不是DDR5），技術(shù)和內(nèi)存的DDR3相似。DDR3第三代DDR3,三代內(nèi)存，已經(jīng)很普及了，一般的頻率都能達到1333hz現(xiàn)時最新的是三代的，四代的也開始萌芽了。這是第二代的，上面寫了ddr2 。你可以買ddr2 800的2g內(nèi)存，金士頓大約在280左右7，筆記本內(nèi)存多大合適最新信如果是筆記本主要是家用，辦公和一般的基本使用的話，4G的內(nèi)存足以。現(xiàn)在筆記本電腦的主流基本配置也多是4G，同時也可以滿足常見的網(wǎng)絡(luò)游戲如英雄聯(lián)盟的需求。如果是多用于游戲的話，4G以上為好，主要和游戲的配置要求有關(guān)，同時需要和電腦其他硬件配合。如果是應(yīng)用于視頻圖像處理的話，基礎(chǔ)學習階段學習和使用，4G就可以滿足，但是使用AE的話建議內(nèi)存至少8G 。升級到4g比較合適，因為單條2g的內(nèi)存條性價比較高，4g的有點小貴。另外玩游戲的時候，可以適當調(diào)整下游戲參數(shù)，對畫質(zhì)、光影效果的各種參數(shù)調(diào)低一些，這樣運行會流暢點8，手機自帶16G內(nèi)存實際可用內(nèi)存大約是多少一般16G內(nèi)存的，其真實內(nèi)存是（16*1000^3）/(1024^3)=14.901G，再減去操作系統(tǒng)占用，用戶最終可用容量大概在10G左右。廠家標示容量計算方法為：1G=1000M，1M=1000KB 1KB=1000B 。電腦標示容量計算方法為：1G=1024M ，1M=1024KB 1KB=1024B 。內(nèi)存內(nèi)存是計算機中重要的部件之一，它是與CPU進行溝通的橋梁。計算機中所有程序的運行都是在內(nèi)存中進行的，因此內(nèi)存的性能對計算機的影響非常大。一般16g內(nèi)存的，其真實內(nèi)存是（16*1000^3）/(1024^3)=14.901g，再減去操作系統(tǒng)占用，用戶最終可用容量大概在10g左右。廠家標示容量計算方法為：1g=1000m1m=1000kb 1kb=1000b電腦標示容量計算方法為：1g=1024m1m=1024kb 1kb=1024b9，電腦內(nèi)存條c14和c16的區(qū)別電腦內(nèi)存條c14和c16的區(qū)別：1、價格不同其他條件相同的情況下，數(shù)字越小價格越高。2、顆粒不同內(nèi)存中使用的顆粒不同，數(shù)字越小顆粒越好，超頻的潛力越高。3、性能不同其他條件相同的情況下，數(shù)字越小性能越好。4、時序不同也就是響應(yīng)時間不同，單位為時鐘周期。5、間距不同C14和C16是卡槽間距不一樣。擴展資料：DDR2與DDR的區(qū)別：與DDR相比，DDR2最主要的改進是在內(nèi)存模塊速度相同的情況下，可以提供相當于DDR內(nèi)存兩倍的帶寬。這主要是通過在每個設(shè)備上高效率使用兩個DRAM核心來實現(xiàn)的。作為對比，在每個設(shè)備上DDR內(nèi)存只能夠使用一個DRAM核心。技術(shù)上講，DDR2內(nèi)存上仍然只有一個DRAM核心，但是它可以并行存取，在每次存取中處理4個數(shù)據(jù)而不是兩個數(shù)據(jù) 。與雙倍速運行的數(shù)據(jù)緩沖相結(jié)合，DDR2內(nèi)存實現(xiàn)了在每個時鐘周期處理多達4bit的數(shù)據(jù)，比傳統(tǒng)DDR內(nèi)存可以處理的2bit數(shù)據(jù)高了一倍。DDR2內(nèi)存另一個改進之處在于，它采用FBGA封裝方式替代了傳統(tǒng)的TSOP方式。盡管DDR2內(nèi)存采用的DRAM核心速度和DDR的一樣，但是仍然要使用新主板才能搭配DDR2內(nèi)存，因為DDR2的物理規(guī)格和DDR是不兼容的。首先是接口不一樣，DDR2的針腳數(shù)量為240針，而DDR內(nèi)存為184針；其次，DDR2內(nèi)存的VDIMM電壓為1.8V，也和DDR內(nèi)存的2.5V不同。參考資料來源：百度百科-內(nèi)存條如果做普通用途的話，兩者差別不大，c9和c11的時序不一樣，兩個都能超頻，但是要在bios里面設(shè)置，自動超頻是要主板自帶功能支持的，復仇者的總體屏風要比普通版高一點，主要體現(xiàn)在高速處理方面1、時序不同也就是響應(yīng)時間不同，單位為時鐘周期。2、性能不同其他條件相同的情況下，數(shù)字越小性能越好。3、價格不同其他條件相同的情況下，數(shù)字越小價格越高。4、顆粒不同內(nèi)存中使用的顆粒不同，數(shù)字越小顆粒越好，超頻的潛力越高。擴展資料內(nèi)存時序包含描述同步動態(tài)隨機存取存儲器（SDRAM）性能的四個參數(shù)：CL、TRCD、TRP和TRAS，它們的單位為時鐘周期。它們通常被四個用破折號分隔開的數(shù)字表示，例如16-16-16-36 。CAS延遲(CL)：發(fā)送一個列地址到內(nèi)存與數(shù)據(jù)開始響應(yīng)之間的周期數(shù) 。這是從已經(jīng)打開正確行的DRAM讀取第一比特內(nèi)存所需的周期數(shù) 。與其他數(shù)字不同，這不是最大值，而是內(nèi)存控制器和內(nèi)存之間必須達成的確切數(shù)字。RAS到CAS(TRCD)：打開一行內(nèi)存并訪問其中的列所需的最小時鐘周期數(shù) 。從DRAM的非活動行讀取第一位內(nèi)存的時間是TRCD+ CL 。RAS預充電(TRP)：發(fā)出預充電命令與打開下一行之間所需的最小時鐘周期數(shù) 。從一個非正確打開行的DRAM讀取內(nèi)存第一比特的時間是TRP+ TRCD+ CL 。周期時間(TRAS)：行活動命令與發(fā)出預充電命令之間所需的最小時鐘周期數(shù) 。這是內(nèi)部刷新行所需的時間，并與TRCD重疊。在SDRAM模塊中，它只是TRCD+ CL 。否則，約等于TRCD+ 2×CL 。參考資料：搜狗百科-內(nèi)存時序1、時序不同內(nèi)存條c14和內(nèi)存條c16，他們分別代表各自的時序。2、價格不同c16比c14便宜，性能沒有c14好。擴展資料內(nèi)存條的作用內(nèi)存是電腦（PC機、單片機）必不可少的組成部分。與可有可無的外存不同，內(nèi)存是以總線方式進行讀寫操作的部件；內(nèi)存決非僅僅是起數(shù)據(jù)倉庫的作用。除少量操作系統(tǒng)中必不可少的程序長駐內(nèi)存外，我們平常使用的程序，如Windows、Linux等系統(tǒng)軟件，包括打字軟件、游戲軟件等在內(nèi)的應(yīng)用軟件，雖然把包括程序代碼在內(nèi)的大量數(shù)據(jù)都放在磁帶、磁盤、光盤、移動盤等外存設(shè)備上，但外存中任何數(shù)據(jù)只有調(diào)入內(nèi)存中才能真正使用。電腦上任何一種輸入（來自外存、鍵盤、鼠標、麥克風、掃描儀，等等）和任何一種輸出（顯示、打印、音像、寫入外存，等等）無一不是通過內(nèi)存才可以進行。內(nèi)存的分類DDR內(nèi)存條內(nèi)存分為DRAM和ROM兩種，前者又叫動態(tài)隨機存儲器，它的一個主要特征是斷電后數(shù)據(jù)會丟失，我們平時說的內(nèi)存就是指這一種；后者又叫只讀存儲器，我們平時開機首先啟動的是存于主板上ROM中的BIOS程序，然后再由它去調(diào)用硬盤中的Windows，ROM的一個主要特征是斷電后數(shù)據(jù)不會丟失。根據(jù)內(nèi)存條上的引腳多少，我們可以把內(nèi)存條分為30線、72線、168線等幾種。30線與72線的內(nèi)存條又稱為單列存儲器模塊SIMM，(SIMM就是一種兩側(cè)金手指都提供相同信號的內(nèi)存結(jié)構(gòu)，)168線的內(nèi)存條又稱為雙列存儲器模塊DIMM 。30線內(nèi)存條已經(jīng)沒有了；前兩年的流行品種是72線的內(nèi)存條，其容量一般有4兆、8兆、16兆和32兆等幾種；市場的主流品種是168線內(nèi)存條，168線內(nèi)存條的容量一般有16兆、32兆、64兆、128兆等幾種，一般的電腦插一條就OK了，不過，只有基于VX、TX、BX芯片組的主板才支持168線的內(nèi)存條。EDO和SDRAM前面我們已經(jīng)按引腳數(shù)的多少把內(nèi)存條分為30、72和168線等幾種，其實，它們在結(jié)構(gòu)和性能上還有著本質(zhì)的區(qū)別。譬如，72線內(nèi)存條是一種EDO內(nèi)存，而現(xiàn)今主流的168線內(nèi)存條幾乎清一色又都是SDRAM內(nèi)存；EDO內(nèi)存的存取速度基本保持在60納秒左右，能夠適應(yīng)75兆赫茲的外頻，但跑83兆赫茲則有點勉為其難了；而SDRAM內(nèi)存的存取速度一般能達到10納秒左右，能夠適應(yīng)100兆赫茲以上的外頻。所以從97年底起EDO內(nèi)存已逐步被SDRAM所取代，至今，幾乎已無人再用EDO來裝機了，只有升級擴充舊電腦內(nèi)存時還用得著它。其實，EDO內(nèi)存被SDRAM所取代有其必然性，因為，市場上主流CPU的主頻已高達2G赫茲，未來CPU的主頻還會越來越高。但由于傳統(tǒng)內(nèi)存條的讀寫速度遠遠跟不上CPU的速度，迫使CPU插入等待指令周期，從而大大降低了電腦的整體性能。為了緩解這個內(nèi)存瓶頸的問題，我們就必須采用新的內(nèi)存結(jié)構(gòu)，即SDRAM 。因為，從理論上說，SDRAM與CPU頻率同步，共享一個時鐘周期。SDRAM內(nèi)含兩個交錯的存儲陣列，當CPU從一個存儲陣列訪問數(shù)據(jù)的同時，另一個已準備好讀寫數(shù)據(jù)，通過兩個存儲陣列的緊密切換，讀取效率得到成倍提高。最新的SDRAM的存儲速度已高達5納秒，所以，SDRAM已成為內(nèi)存發(fā)展的主流。C14 C16指的是時序，時序越低越好實際使用真感覺不到什么區(qū)別