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美方?jīng)]有料到，“中國芯”多次反轉(zhuǎn)，外媒: 半導(dǎo)體限制已經(jīng)失效了

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美方?jīng)]有料到，“中國芯”多次反轉(zhuǎn)，外媒: 半導(dǎo)體限制已經(jīng)失效了

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這幾年美方對我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進行了多輪打壓 ， 從光刻機設(shè)備出口管制 ， 到芯片代工限制 ， 再到通信基站的停止采購 ， 美方的打壓可以說是“不遺余力”的 。
即便如此 ， 我國半導(dǎo)體廠商仍然加大研發(fā)投入 ， 實現(xiàn)了半導(dǎo)體技術(shù)的突破 ， 更實現(xiàn)了芯片工藝的升級 。 為此 ， 有外媒表示:半導(dǎo)體限制已經(jīng)失效了 。

都知道這幾年我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅猛 ， 但這種“速度”讓美方感到驚恐 ， 為此 ， 美方拉攏日荷組成三方聯(lián)盟 ， 限制向我國出售先進的半導(dǎo)體設(shè)備 。
而美光也游說美國政府 ， 對我國存儲芯片進行打壓 ， 這讓長鑫存儲、長江存儲業(yè)務(wù)受損 。
在先進芯片方面 ， 美方也限制三星、臺積電等廠商給華為代工麒麟芯片 ， 這讓國產(chǎn)芯片市場份額降低 。
由此可見 ， 美方對“中國芯”的打壓是全方面的 。 不過近段時間我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)狀況出現(xiàn)多次反轉(zhuǎn) ， 這讓美方也是沒有料到的 。
【美方?jīng)]有料到，“中國芯”多次反轉(zhuǎn)，外媒: 半導(dǎo)體限制已經(jīng)失效了】
第一個反轉(zhuǎn):2024年前8個月 ， 我國生產(chǎn)了2845億顆芯片 ， 創(chuàng)造歷史最好成績
近日 ， 我國統(tǒng)計局公布了2024年8月份和前8個月的芯片生產(chǎn)數(shù)據(jù) 。 其中今年8月份我國生產(chǎn)了372.9億顆集成電路(芯片) ， 同比增長了17.8% 。 而今年1-8月 ， 我國集成電路生產(chǎn)總數(shù)達到2845.1億顆 ， 更是同比增長了26.6% 。

按照2845.1億顆計算 ， 前8個月我國平均每天生產(chǎn)了12億顆芯片 ， 創(chuàng)造了有史以來最好的成績 。 在美方持續(xù)打壓我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)多年后 ， 我國芯片產(chǎn)能打破記錄 ， 這個反轉(zhuǎn)不可謂不大 。
其實這早有預(yù)兆 ， 畢竟去年華為8月份就推出了麒麟9000S芯片 ， 而今年3月份華為又推出了麒麟9010芯片 。 這兩款芯片都是內(nèi)地自研自產(chǎn)芯片 ， 是100%內(nèi)地生產(chǎn) 。 由此可見 ， 我國芯片生產(chǎn)已經(jīng)打破國外限制 ， 實現(xiàn)了獨立自主化 。

第二個反轉(zhuǎn):工信部公布了65nm氟化氬光刻機 ， 我國半導(dǎo)體設(shè)備工藝顯著提高
前幾天工信部發(fā)布《首臺重大技術(shù)裝備推廣應(yīng)用指導(dǎo)目錄(2024年版）》 ， 這份目錄公布了兩款國產(chǎn)光刻機 。 一款是照明波長248nm、分辨率≤110nm的氟化氪光刻機 。 這款光刻機工藝水準(zhǔn)一般 ， 還不如上海微電子的600系列光刻機 。

而另一款氟化氬光刻機就不一樣了 ， 這款光刻機照明波長達到193nm ， 已經(jīng)是DUV光刻機范疇 。 并且這款光刻機分辨率≤65nm ， 套刻≤8nm 。
按照這個參數(shù) ， 這款氟化氬光刻機理論上可以生產(chǎn)8nm芯片 。 按照套刻比例1:3計算 ， 這款光刻機可以生產(chǎn)28nm芯片 。
不過由于曝光成本的緣故 ， 這款光刻機量產(chǎn)28nm芯片的經(jīng)濟價值非常小 ， 良品率也低 ， 因此這款光刻機并不能量產(chǎn)28nm芯片 。 所以這款光刻機是一款65nm的DUV光刻機 ， 和全球領(lǐng)先的ASML生產(chǎn)的光刻機落后20年 。

雖然這款氟化氬光刻機和ASML光刻機有不小的差距 ， 但和我國之前的光刻機相比已經(jīng)是巨大的飛躍 。
特別是全球僅有荷蘭的ASML ， 日本的尼康、佳能能生產(chǎn)DUV光刻機 ， 而這款氟化氬光刻機的出現(xiàn)打破了這個壟斷 ， 我國半導(dǎo)體設(shè)備廠商已經(jīng)成為第四家 。
可以說美方拉攏日荷對我國半導(dǎo)體設(shè)備進行打壓 ， 這不僅沒有讓我國光刻機發(fā)展停滯不前 ， 反而是大大加快了我國半導(dǎo)體設(shè)備發(fā)展進程這種反轉(zhuǎn)讓美方?jīng)]有料到 。

第三個反轉(zhuǎn):國內(nèi)芯片公司開始轉(zhuǎn)向國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商 ， 逐漸擺脫國外半導(dǎo)體設(shè)備依賴國產(chǎn)化率大大提升
近日 ， 有國內(nèi)媒體報道 ， 國內(nèi)存儲芯片巨頭長江存儲已經(jīng)開始轉(zhuǎn)向國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商 。 其中就有蝕刻設(shè)備的中微電子 ， 有沉積設(shè)備的拓荊科技 ， 以及二者兼得的北方偉創(chuàng) 。
長江存儲是國內(nèi)存儲芯片的先行者 ， 它成立于2016年 ， 是一家集設(shè)備、生產(chǎn)、封裝于一體存儲芯片公司 。
早期的長江存儲比較依賴國外的半導(dǎo)體設(shè)備 ， 畢竟國外半導(dǎo)體設(shè)備發(fā)展時間早、技術(shù)積累深厚、工藝更加先進、產(chǎn)品更為成熟 ， 因此長江存儲采購國外半導(dǎo)體設(shè)備也是情理之中的事情 。

但這些年以美日荷為首的三方聯(lián)盟對半導(dǎo)體設(shè)備進行出口管制 ， 這讓我國半導(dǎo)體廠商獲取先進半導(dǎo)體設(shè)備的難度大大提升 。
只不過三方聯(lián)盟這樣做卻讓我國半導(dǎo)體設(shè)備廠商更加注重自研技術(shù) ， 實現(xiàn)了半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)的多項突破 。
現(xiàn)如今我國的蝕刻設(shè)備、沉積設(shè)備已經(jīng)達到全球主流水平 ， 完全可以替代國外蝕刻設(shè)備、沉積設(shè)備 ， 這也是長江存儲轉(zhuǎn)向國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商的重要原因 。
也許美方也沒有料到 ， 自己的打壓不僅加快了我國半導(dǎo)體設(shè)備的發(fā)展 ， 更讓我國芯片公司開始使用國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備 ， 實現(xiàn)了良性循環(huán) 。

寫在最后
美方拉攏日荷組成三方聯(lián)盟 ， 對我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展 ， 但美方?jīng)]有料到他們的打壓讓我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)多項反轉(zhuǎn) 。
現(xiàn)如今我國芯片產(chǎn)能大幅度提升 ， 平均每天生產(chǎn)12億顆芯片 。 并且我國也有了65nm分辨率的DUV光刻機 ， 光刻機工藝水準(zhǔn)大大提升 。 而國產(chǎn)芯片廠商也開始替換國外半導(dǎo)體設(shè)備 ， 使用國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備 ， 這讓我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)良性循環(huán) 。
由此可見 ， 美方對“中國芯”的打壓已經(jīng)沒有作用 ， 只會加快我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展進程 。 正因為如此 ， 有外媒才表示:美方的半導(dǎo)體限制已經(jīng)失去效果了 。

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