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內存硬盤繼續全線大漲！二季度DRAM暴漲超60%：NAND飆升75%

ai聯想創投圈黃仁勛楊元慶

【內存硬盤繼續全線大漲！二季度DRAM暴漲超60%：NAND飆升75%】內存硬盤繼續全線大漲！二季度DRAM暴漲超60%：NAND飆升75%

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快科技4月2日消息 ， 據TrendForce最新報告 ， 2026年第二季度存儲市場將繼續面臨全面漲價 。
DRAM方面 ， 原廠積極將產能轉向HBM和Server應用 ， 并采用補漲策略拉近各類產品價差 ， 預估整體一般型DRAM合約價格將季增58-63% 。
NAND Flash市場則持續由AI和數據中心需求主導 ， 全產品線連鎖漲價效應不減 ， 預計第二季整體合約價格將季增70-75% 。
其中PC DRAM雖面臨整機需求下修 ， 但原廠同步縮減供貨量 ， 滿足率較低的PC OEM不得不加價采購 。
Server DRAM成為原廠獲利最高的品類 ， 獲得優先產能分配 ， 北美CSP對AI推理需求明確 ， 大容量RDIMM采購強勁 ， 短期內供給維持緊縮 。
智能手機品牌因成本壓力累積不排除調整生產計劃 ， 但Mobile DRAM拉貨力道暫不致大幅收縮 ， 合約價持續走升 。
Graphics DRAM和Consumer DRAM同樣受產能不足影響 ， 部分消費級產品的存儲器成本已高于售價 ， 但大廠退出供給導致供不應求局面未見緩解 。
NAND Flash方面 ， 原廠通過制程升級和調升QLC比例提高產出的增幅有限 ， AI Server需求強勁 ， PC和手機廠商被迫縮減產品容量以抑制需求量 。
Enterprise SSD訂單增長未見放緩 ， 2026年將明顯缺貨 ， 新產能預計要到2027年底或2028年才能大規模開出 。
eMMC/UFS因與Enterprise SSD制程重疊但利潤遠低于后者 ， 供給缺口居全產品線之冠 。
整體來看 ， AI算力軍備競賽白熱化帶來的產能排擠效應 ， 正在從高端HBM向全存儲產品線傳導 ， 存儲價格全面上漲的趨勢在2026年內預計難以逆轉 。

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