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韓國“突觸晶體管”項目取得突破進展

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韓國“突觸晶體管”項目取得突破進展

據韓聯社報道 ， 韓國科學技術部上周四對外表示 ， 一個韓國研究團隊證實 ， 下一代人工智能芯片的關鍵組件——“突觸晶體管”在高輻射太空環境中具有潛在的應用價值 。
報道稱 ， 韓國原子能研究院與忠北國立大學和比利時IMEC公司合作 ， 在科學技術信息通信部資助的項目下 ， “突觸晶體管”開發項目取得了突破性進展 。
研究人員利用銦鎵鋅氧化物制造了“突觸晶體管” ， 并使用質子加速器對其進行了測試 ， 結果顯示該“突觸晶體管”能夠承受相當于太空中 20 年的輻射 。 雖然該設備在測試后性能有所下降 ， 但韓國科學部表示其核心功能仍然穩定 。

△航空航天人工智能神經形態半導體經質子輻照后識別率驗證示意圖（來源：韓國原子能研究院）
韓國科學部表示 ， 研究結果證實了該技術可應用于航天級人工智能半導體 ， 標志著在極端條件下運行的芯片研發方面邁出了重要一步 。 這也是全球首次驗證此類技術 。
“這項成果表明人工智能系統有潛力在太空等極端環境下可靠運行 ， ”韓國科學技術部在一份聲明中表示 。 “我們將繼續研發面向航天和航空業的人工智能芯片核心技術 ， 以增強韓國的技術自主性 。 ”
【韓國“突觸晶體管”項目取得突破進展】編輯：芯智訊-林子

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