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Intel計劃復活內存業務：ZAM單芯片最高512GB 功耗比HBM降低50%

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Intel計劃復活內存業務：ZAM單芯片最高512GB 功耗比HBM降低50%

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在AI基礎設施建設熱潮帶動DRAM需求激增 ， 全球內存供應鏈瓶頸持續凸顯的背景下 ， Intel正計劃重返闊別40年的DRAM內存市場 。
據悉 ， Intel將與軟銀旗下子公司Saimemory達成深度合作 ， 聯合開發名為ZAM（Z-angle memory ， Z角內存）的下一代內存新技術 ， 其單芯片最高容量可達512GB ， 功耗較當前主流的HBM內存降低40%至50% ， 有望重塑AI時代全球內存市場的競爭格局 。
當前 ， 全球AI大模型訓練、超大規模數據中心運算等場景 ， 推動算力需求呈指數級攀升 ， 高速內存已成為AI硬件體系的核心支撐 。

ZAM內存技術的核心競爭力源于其創新性的架構設計 。 不同于傳統內存的垂直布線模式 ， 該技術采用交錯互連拓撲結構 ， 以對角線“Z字形”布線優化芯片堆疊布局 ， 搭配銅-銅混合鍵合技術實現層間高效融合 ， 最終形成類似單片芯片的一體化硅塊結構 。
同時 ， ZAM技術采用無電容設計 ， 通過Intel成熟的EMIB（嵌入式多芯片互連橋接）技術實現與AI芯片的高速高效連接 ， 既簡化了制造工藝流程 ， 又能有效提升存儲密度、降低芯片熱阻 。
【Intel計劃復活內存業務：ZAM單芯片最高512GB 功耗比HBM降低50%】相較于當前AI領域主流的HBM內存 ， ZAM技術的優勢十分突出 。 其單芯片最高容量可達512GB ， 大幅超越當前主流HBM產品 。 功耗降低40%-50% ， 可精準解決AI數據中心能耗高企的行業痛點 。 而Z形互連設計更能簡化制造流程 ， 為后續規?；慨a奠定堅實基礎 。
值得一提的是 ， 這并非Intel首次涉足DRAM領域 。 早年間 ， Intel曾是DRAM市場的重要參與者 ， 但受日本廠商激烈競爭沖擊 ， 市場份額持續下滑 ， 最終于1985年退出該賽道 。
如今 ， AI產業的爆發為內存技術帶來了全新發展機遇 ， Intel憑借自身在先進封裝、芯片堆疊領域的深厚技術積累 ， 計劃憑借ZAM技術重獲內存市場話語權 。
不過 ， 其最終能否成功突圍 ， 關鍵仍在于能否說服NVIDIA等行業領軍企業采用該技術 ， 打破現有市場格局 。

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