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【華為|14nm良率已達臺積電水準，加持華為堆疊技術，外媒：華為或將翻身】
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2020年 ， 華為曾占據國內近50%的市場份額 ， 而且華為出海大獲成功 ， 在競爭激烈的歐洲市場站穩腳跟 ， 對三星、蘋果造成了極大的威脅 。 眾所周知 ， 華為手機的靈魂是麒麟芯片 ， 美國開始對華為進行全方位制裁 ， 不允許臺積電代工麒麟芯片 ， 甚至華為連高通的最新的5G芯片都拿不到 。 華為憋了兩年的“大招”Mate50系列 ， 只能用高通的驍龍8Gen1處理器 ， 來幫高通清理庫存 ， 實在是憋屈！
而且美國對中國芯片產業的制裁是全方位的 ， 高通的5G芯片不賣給華為 ， 美國還禁止ASML賣EUV光刻機給中國 ， 鼓動盟友拆掉華為5G基站 ， 最近美國又斷供了芯片設計EDA軟件 。 美國的目的很簡單 ， 就是要將我們的芯片制造能力卡在14nm以上 ， 芯片設計能力卡在3nm以上 ， 從而壓制中國科技行業的發展！
所以我們想要突破美國的限制 ， 就必須放棄幻想 ， 完成芯片全產業鏈的自研 ， 也就是說要完全使用國產的技術、國產設備打造高端芯片！那么問題來了 ， 全部使用國產設備 ， 能造出多少nm的芯片？
上圖這張表格中 ， 可以清晰的看到整個芯片的制造流程 。 其中重中之重就是光刻和蝕刻工藝 ， 以前蝕刻機也是被美國禁運的 ， 但是隨著中微公司在蝕刻機制程上獲得了重大突破 ， 目前已經達到了5nm工藝水平 ， 所以禁運也就失去了意義 。
目前國產技術替代中最落后的就是光刻機了 ， 上海微電子標注的工藝還在90nm ， 而如今ASML已經可以生產3nm芯片了 ， 可以說技術差距極大 。 不過此前上海微電子表示將會在2021-2022年交付第一臺28nm的光刻機 。
另外在芯片代工方面 ， 中芯國際14nm的芯片的良率已經達到了臺積電約90%的水準 ， 而且最新消息顯示 ， 中芯國際將要投資75億美元天津新建12英寸廠 ， 主打28nm-180nm工藝 。
所以總的來說 ， 如果全部使用國產設備和技術 ， 總體依然處在90nm水準 ， 但是如果今年上海微電子交付了第一臺28nm的光刻機 ， 那么意味著我國國產芯片技術就已經邁進了28nm的門檻 。 事實上 ， 除了手機和電腦之外 ， 絕大部分設備都用不到5nm、7nm如此高制程的芯片 ， 28nm足以滿足80%甚至90%的芯片需求 ， 中國芯片被卡脖子的問題也就算解決了大部分了 。
而且不要忘了 ， 華為一直在默默研發一項“黑科技”3D芯片堆疊技術 ， 華為早早的申請了專利 。 這項技術可以讓兩顆28nm的芯片堆疊在一起 ， 從而實現等效于一顆14nm甚至是7nm性能的芯片 ， 也就是用“數量”換“性能” 。 所以 ， 一旦28nm能夠完成全鏈路的國產化 ， 那么3D堆疊芯片有可能被應用在華為設備上 ， 對此外媒表示：中國芯片一旦突破 ， 華為將要徹底翻身！
還記得華為消費者業務CEO余承東說過 ， 華為手機將會在2023年王者歸來！你覺得華為能翻身嗎？
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