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在Intel去年推出的IDM 2.0戰(zhàn)略中 ， 在美國本土投資200億美元建設2座先進工藝晶圓廠是非常關鍵的一環(huán) ， 前幾天傳出了跳票的消息 ， 因為美國官方的520億美元芯片補貼法案還沒通過 ， 不過現在消息稱Intel已經得到了補貼 ， 新工廠已經開工了 。
據digitimes報道 ， 日前傳出Intel正式購得美國俄亥俄州新晶圓廠所需的土地 ， 這項投資金額高達200億美元 。
雖然工廠開工了 ， 但是Intel的晶圓廠還有很多問題 ， 美國政府補助將決定建廠規(guī)模 ， 此前Intel表示由于政府520億美元規(guī)模的芯片法案陷入停滯 ， 他們不得不推遲或者削減在俄亥俄州的投資規(guī)模 ， 甚至威脅去歐洲建廠 。
根據Intel之前的信息 ， 新建的兩座晶圓廠分別會命名為Fab 52、Fab 62 ， 并首次透露這些工廠將會在2024年量產20A工藝 ， 這是Intel面向未來的CPU工藝 ， 首次進入后納米時代 ， 首發(fā)埃米級工藝 ， 其中的A就代表埃米 。
雖然工藝細節(jié)還沒公布 ， 不過20A相當于友商的2nm工藝 ， 還會有2大黑科技——Ribbon FET及PowerVia 。
根據Intel所說 ， RibbonFET是Intel對Gate All Around晶體管的實現 ， 它將成為公司自2011年率先推出FinFET以來的首個全新晶體管架構 。 該技術加快了晶體管開關速度 ， 同時實現與多鰭結構相同的驅動電流 ， 但占用的空間更小 。
【英特爾|美國打錢補貼 Intel 200億美元的晶圓廠開工：首發(fā)“2nm”】PowerVia是Intel獨有的、業(yè)界首個背面電能傳輸網絡 ， 通過消除晶圓正面供電布線需求來優(yōu)化信號傳輸 。
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