1、晶體振蕩器是指從一塊石英晶體上按一定方位角切下薄片（簡(jiǎn)稱為晶片），石英晶體諧振器，簡(jiǎn)稱為石英晶體或晶體、晶振；而在封裝內(nèi)部添加IC組成振蕩電路的晶體元件稱為晶體振蕩器 。其產(chǎn)品一般用金屬外殼封裝，也有用玻璃殼、陶瓷或塑料封裝的 。
2、晶振在應(yīng)用具體起到的作用，微控制器的時(shí)鐘源可以分為兩類(lèi)：基于機(jī)械諧振器件的時(shí)鐘源，如晶振、陶瓷諧振槽路；RC（電阻、電容）振蕩器 。一種是皮爾斯振蕩器配置，適用于晶振和陶瓷諧振槽路 。另一種為簡(jiǎn)單的分立RC振蕩器 。基于晶振與陶瓷諧振槽路的振蕩器通常能提供非常高的初始精度和較低的溫度系數(shù) 。RC振蕩器能夠快速啟動(dòng)，成本也比較低，但通常在整個(gè)溫度和工作電源電壓范圍內(nèi)精度較差，會(huì)在標(biāo)稱輸出頻率的5%至50%范圍內(nèi)變化 。但其性能受環(huán)境條件和電路元件選擇的影響 。
【晶振的作用 可以用于哪些方面呢】
3、選擇振蕩器時(shí)還需要考慮功耗 。分立振蕩器的功耗主要由反饋放大器的電源電流以及電路內(nèi)部的電容值所決定 。CMOS放大器功耗與工作頻率成正比，可以表示為功率耗散電容值 。比如，HC04反相器門(mén)電路的功率耗散電容值是90pF 。在4MHz、5V電源下工作時(shí)，相當(dāng)于1.8mA的電源電流 。再加上20pF的晶振負(fù)載電容，整個(gè)電源電流為2.2mA 。陶瓷諧振槽路一般具有較大的負(fù)載電容，相應(yīng)地也需要更多的電流 。相比之下，晶振模塊一般需要電源電流為10mA ~60mA 。硅振蕩器的電源電流取決于其類(lèi)型與功能，范圍可以從低頻（固定）器件的幾個(gè)微安到可編程器件的幾個(gè)毫安 。一種低功率的硅振蕩器，如MAX7375，工作在4MHz時(shí)只需不到2mA的電流 。在特定的應(yīng)用場(chǎng)合優(yōu)化時(shí)鐘源需要綜合考慮以下一些因素：精度、成本、功耗以及環(huán)境需求 。
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