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臺(tái)積電|甩開三星、英特爾！臺(tái)積電要上馬1.4nm：蘋果又是首位客戶？

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臺(tái)積電|甩開三星、英特爾！臺(tái)積電要上馬1.4nm：蘋果又是首位客戶？

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臺(tái)積電|甩開三星、英特爾！臺(tái)積電要上馬1.4nm：蘋果又是首位客戶？

5月9日 ， 最新消息稱 ， 全球最大半導(dǎo)體代工廠臺(tái)積電已經(jīng)決定上馬1.4nm工藝 ， 團(tuán)隊(duì)主要由之前研發(fā)3nm工藝的隊(duì)伍組成 ， 下個(gè)月將會(huì)確認(rèn) ， 進(jìn)入第一階段TV0開發(fā) ， 主要是制定1.4nm的技術(shù)規(guī)格 。
在高精尖芯片工藝方面 ， 臺(tái)積電有多手準(zhǔn)備 ， 目前的3nm計(jì)劃在今年下半年開始小規(guī)模量產(chǎn) ， 2nm工藝還處在建設(shè)過程 ， 技術(shù)研發(fā)已經(jīng)差不多了 ， 預(yù)計(jì)2024年開始試產(chǎn) ， 大規(guī)模量產(chǎn)估計(jì)要等到2026年了 。



據(jù)了解 ， 1nm這個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)被認(rèn)為是摩爾定律的物理極限 ， 制造起來相當(dāng)困難 ， 而1.4nm已經(jīng)進(jìn)入1nm的工藝范疇 ， 無論是制造設(shè)備、材料 ， 還是工藝路線都需要全面升級(jí) ， 即便是2nm已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了大規(guī)模量產(chǎn) ， 恐怕1.4nm也需要再等個(gè)幾年 。
小雷此前報(bào)道過 ， 三星將會(huì)在3nm這個(gè)節(jié)點(diǎn)中采用全新的GAA FET工藝來提高技術(shù)領(lǐng)先地位 ， 實(shí)現(xiàn)“彎道超車” ， 現(xiàn)在已經(jīng)成功流片 ， 而臺(tái)積電方面依舊使用FinFET ， 可能到2nm節(jié)點(diǎn)才會(huì)使用GAA架構(gòu) 。 目前可以確定的是 ， GAA架構(gòu)相比于FinFET有著更好的靜電特性 ， 尺寸也可以進(jìn)一步微縮 ， 適合發(fā)展密度更高的晶體管 。



半導(dǎo)體進(jìn)入10nm節(jié)點(diǎn)工藝后 ， 能玩得起的公司主要就是臺(tái)積電、三星和英特爾了 ， 如今半導(dǎo)體代工行業(yè)里 ， 占據(jù)份額最高 ， 工藝制程最先進(jìn)的還屬臺(tái)積電 。 有分析師稱 ， Intel會(huì)在2025年憑借18A工藝實(shí)現(xiàn)超越 。 雖然臺(tái)積電目前還處于領(lǐng)先地位 ， 但三星、英特爾追趕的速度很快 ， 要保持行業(yè)優(yōu)勢 ， 或許只能朝著更先進(jìn)工藝進(jìn)發(fā) 。

不出意外 ， 蘋果、英特爾還是第一批吃上臺(tái)積電最先進(jìn)工藝制程的大客戶 ， 安卓陣營可能需要等三星3nm GAA工藝落地 。 不論如何 ， 工藝制程對(duì)性能、能效比等方面的提升還是很明顯的 。

【臺(tái)積電|甩開三星、英特爾！臺(tái)積電要上馬1.4nm：蘋果又是首位客戶？】當(dāng)然了 ， 現(xiàn)在談?wù)?.4nm還為時(shí)過早 ， 3nm的良率、生產(chǎn)規(guī)模尚未成熟 ， 2nm就更別提了 。 就算1.4nm研發(fā)十分順利 ， 可能也要等到2028年 ， 而且小雷預(yù)計(jì)2nm、1.4nm這兩個(gè)節(jié)點(diǎn)的芯片 ， 代工成本都會(huì)有所上漲 。

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