19、在這里，我們將主要了解人們?cè)谫徺ISSD時(shí)經(jīng)常接觸到的SLC、MLC和TLC閃存 。SLC/MLC/TLC閃存:
20、三種閃存狀態(tài)(圖片來自 *** )近年來，NAND閃存技術(shù)發(fā)展迅速，從企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的SLC閃存到消費(fèi)級(jí)SSD廣泛使用的MLC閃存，再到現(xiàn)在新興的TLC閃存 。在短時(shí)間內(nèi)，我們看到了NAND技術(shù)的重大進(jìn)步 。
21、SLC、MLC和TLC閃存怎么樣？簡(jiǎn)單來說，存儲(chǔ)在NAND閃存中的數(shù)據(jù)以電荷的形式存儲(chǔ)在每個(gè)NAND存儲(chǔ)單元中 。SLC、MLC和TLC存儲(chǔ)的位數(shù)不同 。
22、單層存儲(chǔ)和多層存儲(chǔ)的區(qū)別在于每個(gè)NAND存儲(chǔ)單元一次可以存儲(chǔ)的位數(shù) 。
23、SLC(單層單元)單層存儲(chǔ)每個(gè)存儲(chǔ)單元只能存儲(chǔ)123位數(shù)據(jù) 。類似地，MLC(多級(jí)單元)可以存儲(chǔ)2位數(shù)據(jù)，TLC(三級(jí))可以存儲(chǔ)3位數(shù)據(jù) 。在一個(gè)存儲(chǔ)單元上，一次存儲(chǔ)的位數(shù)越多，該單元的容量就越大，可以節(jié)省閃存的成本，提高NAND的產(chǎn)量 。
24、但隨后，在每個(gè)單位存儲(chǔ)單元中添加更多的數(shù)據(jù)會(huì)使?fàn)顟B(tài)難以區(qū)分，可靠性、耐用性和性能會(huì)降低 。閃存的類型各有優(yōu)缺點(diǎn) 。在保證固態(tài)硬盤性能、耐用性和壽命的前提下，如何提高存儲(chǔ)密度，增加固態(tài)硬盤的容量，降低固態(tài)硬盤的制造成本，才能迎來下一次個(gè)人存儲(chǔ)革命的開始 。
25、總結(jié):SSD極速體驗(yàn)的前提是有非常復(fù)雜的技術(shù)支持，不同機(jī)械硬盤通電都可以使用 。SSD需要正確的使用 *** 和后期更多的維護(hù)，而這些的基礎(chǔ)就是你對(duì)SSD有足夠的了解，這也是推薦小白講堂的目的 。下期，我們將繼續(xù)探索神秘的SSD技術(shù) 。
本文關(guān)于SSD *** 結(jié)構(gòu)（ssd *** 結(jié)構(gòu)圖）的知識(shí)就到此分享完畢，希望對(duì)大家有所幫助 。
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