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主板不支持大容量內(nèi)存的原因( 三 )

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另外我們常說的內(nèi)存交錯(cuò)設(shè)置并不是指的物理BANK的交錯(cuò) 。也就是說不是內(nèi)存條雙面的交錯(cuò)，而是指內(nèi)存芯片內(nèi)部邏輯BANK的交錯(cuò)，如果芯片有4個(gè)BANK，那么就可以進(jìn)行4路交錯(cuò)，如果只有兩個(gè)BANK就只能是二路交錯(cuò) 。很多資料介紹的以內(nèi)存條的單面或雙面來決定交錯(cuò)是錯(cuò)誤的，實(shí)際上就是混淆了物理BANK和邏輯BANK的區(qū)別 。
三．有關(guān)內(nèi)存BANK的幾個(gè)常見問題釋疑
我們透徹地了解了上面介紹的物理BANK和邏輯BANK的概念之后，就不難對目前有關(guān)動(dòng)態(tài)內(nèi)存的幾個(gè)熱點(diǎn)問題做出解釋了 。
1．大容量內(nèi)存不能為某些主板正確識別原因
系統(tǒng)在啟動(dòng)時(shí)，主板的北橋芯片會(huì)偵測這些內(nèi)存條的參數(shù)，如果果發(fā)現(xiàn)位寬不支持，則終止檢測，系統(tǒng)就掛了 。因?yàn)槲粚挍Q定了一次CPU一次向內(nèi)存芯片傳遞的數(shù)據(jù)量，只能一次64位數(shù)據(jù)并發(fā) 。接下來檢測BANK的單元格總數(shù)，如果這個(gè)單元格的數(shù)量超出了芯片組所支持的上限，那么就按芯片組所能支持的最大限度進(jìn)行操作，在確定了數(shù)據(jù)深度/位寬之后再結(jié)合邏輯BANK數(shù)量，計(jì)算出芯片的實(shí)際可用總?cè)萘?。換句話說邏輯BANK中的一些行與列可能就用不上了，假如芯片組對邏輯BANK數(shù)量不支持，那么多出來的邏輯BANK也將不起作用，后者的情況比較少見，現(xiàn)在的芯片組基本全是支持4BANK的 。VIA的KT133芯片組甚至明確表示支持8BANK 。
我們說內(nèi)存識別出現(xiàn)問題，主要就是卡在芯片的這三個(gè)參數(shù)上，其中又以芯片的數(shù)據(jù)深度限制最為常見 。事實(shí)上現(xiàn)在很多大容量內(nèi)存不能為一些舊型號主板支持的主要原因就是芯片組對內(nèi)存芯片的邏輯BANK數(shù)據(jù)深度有一定限制 。我們知道芯片的容量主要由三個(gè)參數(shù)決定，也就是根據(jù)第一部分介紹的公式，首先是邏輯BANK的單元格數(shù)（數(shù)據(jù)深度），其次是邏輯BANK的位數(shù) 。最后是邏輯BANK的個(gè)數(shù) 。三者相乘得到芯片的容量，大家看到大度內(nèi)存256MB為什么不能在440BX上用，就是由于BX芯片組只支持內(nèi)存芯片的數(shù)據(jù)深度為4M，而不是8M，所以大度條子的內(nèi)存芯片在BX板上被識別成4??=64Mbit（8MB），而不是本來的8??=128Mbit（16MB），現(xiàn)在很多大容量的內(nèi)存沒有在BANK數(shù)和位寬上提高多少，基本都是增加芯片的數(shù)據(jù)深度，而這是需要芯片組支持的，象INTEL的LX/BX/810/815等都只能支持最大4M（INTEL想讓大家去選擇P4＋850＋RDRAM的組合?。∷抉R昭之心，路人皆知?。?，而目前VIA系列的幾款芯片組支持芯片任意位寬（盡管目前大部分內(nèi)存芯片的位寬最高只有16位），單個(gè)邏輯BANK的容量（數(shù)據(jù)深度）最多支持32M的容量 。從這點(diǎn)上大家也不難看出為什么現(xiàn)在VIA芯片組的主板這么火了 。
2．內(nèi)存條購買標(biāo)準(zhǔn)的修正
大家都知道這么一個(gè)購買常識：購買內(nèi)存時(shí)盡量選用單面內(nèi)存 。但是這個(gè)經(jīng)驗(yàn)是來自這樣一個(gè)背景：許多不正規(guī)的小廠使用低容量芯片（比如已經(jīng)過時(shí)16Mbit）來制造目前使用的高容量內(nèi)存條，由于單個(gè)芯片容量小，為了達(dá)到較大的內(nèi)存條容量，必然要增加芯片數(shù)目，而且這些過時(shí)的芯片很可能是一些翻新貨，并且芯片之間電氣參數(shù)的一致性也很差 。不過根據(jù)分析更準(zhǔn)確地講購買原則應(yīng)該：是選擇單物理BANK的內(nèi)存 。以前由于大多數(shù)單面內(nèi)存都是單BANK內(nèi)存，所以大家一直就是這個(gè)說法，實(shí)際上通過前面的分析我們知道內(nèi)存條的面數(shù)與物理BANK數(shù)是無關(guān)的 。單個(gè)物理BANK，內(nèi)存只要取一組64位數(shù)據(jù)，而不需要再切換到另外一個(gè)BANK讀去另外一組64位數(shù)據(jù)，切換的時(shí)間省去了，性能必然有提高 。目前由于一個(gè)DIMM插槽最多支持兩個(gè)物理BANK，BIOS設(shè)置中是對同一個(gè)內(nèi)存插槽的兩個(gè)BANK同時(shí)進(jìn)行速度調(diào)節(jié)的，比如BANK 0/1 DRAM Timing；BANK 2/3 DRAM Timing；BANK 4/5 DRAM Timing選項(xiàng) 。，所以我們在選擇內(nèi)存的時(shí)候應(yīng)該根據(jù)內(nèi)存條上芯片的編碼，確定內(nèi)存條是單BANK還是雙BANK，排除下面講到的DIMM插槽信號走線的影響，一根雙BANK的內(nèi)存條與兩根單BANK的內(nèi)存條在性能上是沒有多少差別的 。能用一個(gè)插槽不要使用兩個(gè)插槽的說法是沒有依據(jù)的 ?？傮w上講3個(gè)DIMM插槽在總?cè)萘繚M足要求的情況下，使用BANK的數(shù)目愈少愈好 。千萬不要出現(xiàn)使用大量低容量芯片組裝的條子占用3個(gè)DIMM全部6個(gè)BANK的情況 。

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