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筆記本|英睿達(dá)DDR5-4800筆記本內(nèi)存評(píng)測(cè)：起步就輕松超越高頻DDR4( 二 )

芯片筆記本評(píng)測(cè)電源管理


三、裝機(jī)和性能測(cè)試：雙通道優(yōu)勢(shì)更明顯 解壓縮辦公速度更高效
測(cè)試設(shè)備我們使用ROG槍神6 Plus超競(jìng)版筆記本 ， 核心配置為酷睿i9-12950HX+RTX 3070 Ti Laptop 。
我們先來看看這款英睿達(dá)DDR5-4800筆記本內(nèi)存的安裝體驗(yàn)和基準(zhǔn)測(cè)試 。
——裝機(jī)



英睿達(dá)DDR5-4800筆記本內(nèi)存安裝非常簡(jiǎn)單 ， 關(guān)機(jī)斷電狀態(tài)下拆開筆記本D面 ， 插入內(nèi)存槽 ， 開機(jī)就可以直接使用了 。



內(nèi)存本身帶有防呆口 ， 能避免用戶插錯(cuò) 。



我們先插入單根英睿達(dá)DDR5-4800 8GB筆記本內(nèi)存 ， 可以看到系統(tǒng)下能準(zhǔn)確識(shí)別出預(yù)設(shè)的4800MHz頻率 ， 時(shí)序?yàn)?0-39-39-76 ， 電壓為1.1V 。



圖為DIMM內(nèi)存對(duì)比
需要注意的是 ， 因?yàn)镈DR5采用了全新的協(xié)議和規(guī)范 ， 單個(gè)DIMM被分解成2個(gè)通道 ， 也就是原本64bit拆解成兩個(gè)32bit ， 所以單根內(nèi)存插入后會(huì)被識(shí)別成雙通道 ， 兩根內(nèi)存識(shí)別成四通道 。
當(dāng)然 ， 要想實(shí)現(xiàn)傳統(tǒng)意義上的雙通道 ， 依然需要兩根內(nèi)存 。
——基準(zhǔn)測(cè)試
1、AIDA64測(cè)試
我們使用AIDA64的內(nèi)存與緩存測(cè)試 ， 先分別測(cè)試單根和兩根內(nèi)存的基準(zhǔn)性能 。



在單通道內(nèi)存（系統(tǒng)識(shí)別為雙通道）下 ， 測(cè)得讀取、寫入、復(fù)制的速度分別為35404MB/s、30064MB/s、31326MB/s ， 延遲為94.3ns 。



在兩根內(nèi)存組成的雙通道（系統(tǒng)識(shí)別為4通道） ， 測(cè)得讀取、寫入、復(fù)制的速度分別為65791MB/s、58175MB/s、56833MB/s ， 對(duì)比單條分別高出86％、94％、81％ ， 可見這才是真正的雙通道 。
不過延遲也略有增加 ， 達(dá)到了97.5ns ， 好在幅度不大 ， 僅僅3％ 。
和我們此前測(cè)試過的DDR4-3200 SO-DIMM筆記本內(nèi)存作為對(duì)比 ， 英睿達(dá)DDR5-4800筆記本內(nèi)存在讀取、寫入、復(fù)制這三方面 ， 分別高出38.6%、22.9%、28.9% 。
延遲這方面 ， 要先考慮到DDR5-4800 SO-DIMM內(nèi)存主要是用于筆記本上 ， 和我們此前搭載了高頻DDR4 SODIMM的筆記本評(píng)測(cè)成績(jī)接近 ， 可以說并沒有什么差別 ， 日常使用感知并不明顯 。
2、硬件狗狗



單通道內(nèi)存跑分



雙通道內(nèi)存跑分
在單通道內(nèi)存下 ， 硬件狗狗的內(nèi)存性能測(cè)試分?jǐn)?shù)為29943；雙通道內(nèi)存的測(cè)試分?jǐn)?shù)為58220 。
相比單通道 ， 雙通道內(nèi)存能夠?qū)崿F(xiàn)翻倍的性能提升 。
——解壓縮測(cè)試
解壓縮測(cè)試中除了最直觀的CPU和硬盤占用外 ， 內(nèi)存的作用也不容忽視 。
在解壓縮過程中 ， 文件先寫入內(nèi)存 ， 由內(nèi)存將文件寫入硬盤 ， 大內(nèi)存帶來的優(yōu)勢(shì)也越明顯 。



單通道內(nèi)存解壓縮基準(zhǔn)



雙通道內(nèi)存解壓縮基準(zhǔn)
雙通道除了帶來容量的提升 ， 也帶來了更快的讀寫速度 。 在7-zip解壓縮基準(zhǔn)中 ， 單通道總體得分為74.987 ， 雙通道為92.228 GIPS 。
在這方面 ， 多通道的內(nèi)存性能相較單通道 ， 約有23%的性能提升 。
——穩(wěn)定性測(cè)試

在此次烤機(jī)測(cè)試中 ， 我們使用RunMemtestPro檢驗(yàn)英睿達(dá)DDR5-4800筆記本內(nèi)存的穩(wěn)定性 。
得益于DDR5內(nèi)存帶寬的升級(jí) ， 只需約20分鐘就完成了測(cè)試 ， 整個(gè)過程并未出現(xiàn)報(bào)錯(cuò) 。
五、總結(jié)：DDR5時(shí)代已經(jīng)來臨 注意真正雙通道
英睿達(dá)DDR5-4800 SO-DIMM筆記本的規(guī)格非常標(biāo)準(zhǔn) ， 單根8GB容量起、4800MHz頻率、CL40延遲 ， 因此它的定位就是“年輕人的第一臺(tái)DDR5筆記本” ， 開啟新內(nèi)存普及之路 。
現(xiàn)在很多筆記本都預(yù)裝一條內(nèi)存 ， 預(yù)留一個(gè)空閑插槽 ， 再插上一根是絕對(duì)必要的 。 DDR5雖然實(shí)現(xiàn)了內(nèi)部雙通道 ， 但聊勝于無(wú) ， 想要真正發(fā)揮出最大性能還得兩根內(nèi)存組成物理上的真正雙通道 ， 有時(shí)可以帶來接近翻倍的性能提升 。

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