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主板|12代酷睿平價(jià)之選!梅捷B660/H610主板發(fā)布:全系標(biāo)配DR.MOS供電

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在今晨結(jié)束的CES 2022活動(dòng)中 , Intel 12代酷睿28款處理器全數(shù)更新完畢 , 上至i9、下至賽揚(yáng) 。
與此同時(shí) , 為了降低DIY用戶裝機(jī)成本 , 配套的H670、B660和H610芯片組也一同登場(chǎng) , 成立37年的老牌板卡梅捷 , 第一時(shí)間推出了中端SAGA(傳承版)、入門(mén)Classic(經(jīng)典版)的H610、B660主板 , 共3款 。

據(jù)悉 , 三款主板全系標(biāo)配DR.MOS , 高規(guī)擁有10相供電 , 支持DDR4內(nèi)存等 。
DR.MOS對(duì)于PC老鳥(niǎo)應(yīng)該不陌生 , 早期用在服務(wù)器主板上 , 三合一封裝的DR.MOS面積是分離MOSFET的1/4 , 功率密度是分離MOSFET的3倍 , 增加了超電壓和超頻的潛力 。 在供電部分采用DR.MOS的主板 , 節(jié)能、高效能超頻、低溫等表現(xiàn)更出色 。
下面來(lái)詳細(xì)了解下三款主板:
SAGA傳承B660M
主板為245*245mm的MATX版型 , 整體外觀設(shè)計(jì)根據(jù)荷蘭幾何抽象畫(huà)派先驅(qū)——彼埃·蒙德里安的幾何圖形為繪畫(huà)基本元素的設(shè)計(jì)理念 , 用平行線貫穿主板的散熱裝甲和絲印 。

供電部分采用8+1相50A DR.MOS供電 , 外加1相VCC_AUX , 共10相供電 。 PWM芯片方案采用RT3628AE , 型號(hào)為SIC654的DR.MOS , 單相最高支持50A供電電流 , 供電上方覆蓋大面積的合金散熱裝甲 。

內(nèi)存方面 , 提供4根DDR4內(nèi)存插槽 , 頻率可以達(dá)到4800MHz , 最大容量能夠達(dá)到128GB 。

PCIe x16 4.0顯卡插槽配備了合金裝甲 , 對(duì)于一些高端顯卡來(lái)說(shuō) , 合金裝甲插槽能有效降低因高端顯卡過(guò)重或者反復(fù)插拔而導(dǎo)致插槽損毀的情況 。

顯卡插槽上下方和南橋下方分別是3個(gè)M.2插槽 , 均為PCIe x4通道 , 支持nvme固態(tài)硬盤(pán) 。 另外還配備1條PCIe x1和1條開(kāi)放式接口PCIe x4插槽 , 提供更多擴(kuò)展可能 。

另外 , 在PCIe x1的右邊還有一個(gè)PCIe E-KEY接口 , 玩家可根據(jù)需求 , 自行選擇購(gòu)買(mǎi)WiFi模塊 。 當(dāng)然少不了人性化的CLR_CMOS按鈕 , 便于玩家在調(diào)試參數(shù)失敗后快速重置設(shè)置 。
I/O接口方面 , 1個(gè)HDMI、2個(gè)DP和1個(gè)VGA , 支持4屏輸出;4個(gè)USB2.0和2個(gè)USB3.2 Gen1接口 , 滿足日常使用;2.5G的有線網(wǎng)卡 , 提供更高速的互聯(lián)傳輸體驗(yàn) 。

CLASSIC經(jīng)典B660M
主板為230*205mm的MATX版型 , 整體外觀設(shè)計(jì)采用波點(diǎn)矩陣和斜紋切割組合 , 為感覺(jué)沉穩(wěn)的梅捷主板注入了輕時(shí)尚元素 。

供電部分同樣采用8+1相50A DR.MOS供電 , 外加1相VCC_AUX , 共10相供電 。 PWM芯片方案采用RT3628AE , 型號(hào)為SIC654的DR.MOS單相最高支持50A供電電流 , 供電上方覆蓋另一種風(fēng)格設(shè)計(jì)的合金散熱裝甲 。

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